Materialforschung mit Positronen: Von der Doppler-Spektroskopie zur
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Eine an<strong>der</strong>e Möglichkeit zum Nachweis von Versetzungen <strong>mit</strong> Röntgenstrahlung bietet die<br />
Röntgen-Topographie, <strong>mit</strong> <strong>der</strong> Versetzungen in einem einkristallinen Bereich direkt über eine<br />
Än<strong>der</strong>ung in <strong>der</strong> Intensität einzelner Reflexe abgebildet werden können. Eine röntgentopographische<br />
Abbildung wird in Transmission aufgenommen, wobei im Gegensatz <strong>zur</strong> TEM<br />
Probendicken bis zu einigen Millimetern möglich sind.<br />
Dabei werden ein o<strong>der</strong> zwei Schlitzblenden auf einen Reflex justiert und da<strong>mit</strong> alle an<strong>der</strong>en<br />
Reflexe sowie <strong>der</strong> trans<strong>mit</strong>tierte Primärstrahl ausgeblendet. Durch Bewegen <strong>der</strong> Probe relativ<br />
<strong>zur</strong> feststehenden Anordnung von Strahl und Blenden, wird die Probe in einer Tiefenschicht<br />
ortsaufgelöst vermessen [347,348]. Über eine zusätzliche Variation <strong>der</strong> Position <strong>der</strong> Blenden<br />
zum Primärstrahl ist ein tiefenabhängiges Abrastern von Versetzungen und an<strong>der</strong>en Fehlern<br />
möglich.<br />
Unter Verwendung eines eingehenden Röntgenstrahls <strong>mit</strong> einem Durchmesser im Mikrometerbereich,<br />
sowie hochauflösen<strong>der</strong> CCD-Kameras zum Nachweis <strong>der</strong> Beugungsreflexe, wird<br />
eine Ortsauflösung im Bereich einiger Mikrometer in allen drei Dimensionen erreicht [349].<br />
Mit dieser Methode gelang es unter an<strong>der</strong>em, das Spannungsfeld einzelner Versetzungen in<br />
Halbleiter-Bauelementen hochgenau abzubilden [350]. Auch wenn in einem Großteil <strong>der</strong> Arbeiten<br />
in Transmission gemessen wird, ist die Röntgen-Topographie grundsätzlich auch in<br />
Reflektion möglich [351], was z.B. bei <strong>der</strong> Untersuchung von großen strukturierten Halbleiter-Wafern<br />
Vorteile bietet [352].<br />
Als eindrucksvolles Beispiel zeigt Abbildung 4.14 Versetzungen in einem Korn in einer verformten<br />
Fe3.5Si Legierung, wobei die Än<strong>der</strong>ung <strong>der</strong> Intensität <strong>der</strong> [002] (a) und <strong>der</strong> [002](b)<br />
Reflexe aufgenommen wurde [353]. Mit <strong>der</strong> verwendeten AgK-Strahlung ließen sich noch<br />
Versetzungen <strong>mit</strong> einem minimalen Abstand von 5 µm voneinan<strong>der</strong> trennen. Der Vergleich<br />
<strong>der</strong> Abbildungen (a) und (b) zeigt deutlich, daß die Lage <strong>der</strong> Versetzungen relativ zu den beugenden<br />
Ebenenscharen zu einem unterschiedlichen Kontrast führt.<br />
4.2.3 Ein kurzer Vergleich <strong>der</strong> Methoden<br />
Der oben gegebene Überblick <strong>der</strong> gängigsten Methoden zeigt deutliche Unterschiede in Bezug<br />
auf die Empfindlichkeit für Plastizität und Ermüdung und in <strong>der</strong> praktischen Anwendbarkeit.<br />
So ist es nicht sehr einfach, diese Methoden auf einer linearen Skala zu bewerten, da einige<br />
Methoden Beson<strong>der</strong>heiten aufweisen, die sie signifikant von den an<strong>der</strong>en unterscheiden.<br />
Tabelle VII ist als Versuch zu verstehen, die hier diskutierten Methoden nach unterschiedlichen,<br />
in <strong>der</strong> praktischen Anwendung relevanten, Parametern aufgeschlüsselt zu bewerten.<br />
So ist z.B. die TEM als "traditionelle" Methode zum Nachweis von Versetzungen auf sehr<br />
kleine Bereiche (einige µm 2 ) eingeschränkt, bietet jedoch die Möglichkeit zum Nachweis einzelner<br />
Versetzungen. Zudem ist sie <strong>mit</strong> erheblichem Präparationsaufwand verbunden und alles<br />
an<strong>der</strong>e als zerstörungsfrei. Im Gegensatz <strong>zur</strong> PAS können Versetzungsdichten durch Auszählen<br />
direkt quantitativ bestimmt werden, wobei diese jedoch in sehr stark deformierten Metallen<br />
unterbewertet werden.<br />
Die Röntgen-Topographie, die ebenfalls eine quantitative Bestimmung von Versetzungen im<br />
Submikrometerbereich bei wesentlich geringerem Präparationsaufwand ermöglicht, ist auf<br />
größere Körner und Einkristalle eingeschränkt. Sie ist jedoch im Gegensatz <strong>zur</strong> TEM zerstörungsfrei<br />
und ermöglicht da<strong>mit</strong> die Beobachtung <strong>der</strong> Entwicklung von Versetzungen und Versetzungsstrukturen<br />
während <strong>der</strong> Verformung o<strong>der</strong> in verschieden Stadien <strong>der</strong> Ermüdung an<br />
ein und <strong>der</strong>selben Probe.<br />
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