Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

W procesie epitaksjalnego wzrostu heterostruktur moŜliwe jest ich „koherentne”(pseudomorficzne) oraz „niekoherentne” (zrelaksowane) napręŜenie wywołane róŜnicąparametrów sieciowych warstwy i podłoŜa. Przy „koherentnym” wzroście pojedynczychmonowarstw, jedna po drugiej, niedopasowanie sieciowe warstw i podłoŜa nie powodujewytwarzania defektów (dyslokacji niedopasowania). Ze wzrostem grubości napręŜonej warstwywystępują odchylenia od warunków koherentnego wzrostu; relaksacja napręŜeń spręŜystych wheterostrukturze doprowadza do powstania defektów (dyslokacji niedopasowania). Jednocześnieze wzrostem gęstości dyslokacji tworzą się niejednorodności ich rozkładu w płaszczyźnieheterogranicy. Deformacja plastyczna struktury jest oznaką wzrostu „niekoherentnego” wwyniku nieskompensowanych napręŜeń i wytworzenia liniowych defektów strukturalnych.Jednocześnie zmieniają się półprzewodnikowe właściwości struktury, które były określonezadanym składem poszczególnych warstw heterostruktury, a więc i wielkością niedopasowaniaich parametrów sieciowych. Dlatego dla heterostruktur epitaksjalnych istnieje związek pomiędzycharakterystykami strukturalnymi (niedopasowania parametrów sieciowych, napręŜeniaspręŜyste, deformacja plastyczna) i wielkościami fizycznymi takimi jak szerokość przerwywzbronionej czy rekombinacja promienista [15]. Na ogół dąŜy się do tego, Ŝeby uniknąćniedopasowania parametrów sieciowych warstw i podłoŜa, poniewaŜ jakość heterostrukturokreśla się minimalną deformacją spręŜystą oraz brakiem deformacji plastycznej, a efektywnośći niezawodność pracy przyrządów, wytworzonych na bazie tych heterostruktur, zaleŜy odlokalizacji aktywnych domieszek i defektów strukturalnych na heterogranicy oraz w obszarzeroboczym.11