Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

się od 10 2 do 10 3 cm -2 w najbardziej doskonałych monokryształach i dochodzi do 10 11 -10 12 cm -2w bardzo zdeformowanych kryształach metalicznych.Występowanie dyslokacji ma zasadniczy wpływ na właściwości plastyczne kryształów.Gdyby nie było dyslokacji krawędziowych, poślizg dwóch części kryształu względem siebiewymagałby znacznie większych napręŜeń, tzn. musiałyby przesuwać się całe płaszczyznyatomowe zamiast przemieszczania pojedynczych rzędów atomowych, znajdujących się wzdłuŜ„tymczasowej” krawędzi dyslokacji. Dyslokacji śrubowe, ze swej strony, wpływają w istotnysposób na procesy wzrostu kryształów. Wokół linii dyslokacji śrubowej wychodzącej napowierzchnię rosnącego kryształu (np. z fazy gazowej) mogą dobudowywać się zewnętrzneatomy, gdzie wiąŜą się one z więcej niŜ jednym atomem na powierzchni, zwiększając w tensposób szybkość wzrostu kryształu. W półprzewodnikach dyslokacje wpływają zarówno na ichwłaściwości elektronowe jak i atomowe. WzdłuŜ dyslokacji zachodzi szybsza dyfuzjadomieszek, która moŜe pogorszyć ich rozkład przestrzenny w półprzewodnikach. Dyslokacjemogą równieŜ działać jako centra rekombinacji, obniŜając tym samym czas Ŝyciamniejszościowych nośników prądu.W 1954 r. pojawiły się pierwsze prace teoretyczne W. T. Reada [6], dotycząceelektronowych właściwości dyslokacji w półprzewodnikach, rozwijające wcześniejszespostrzeŜenie W. Shockleya [7], Ŝe niewysycone wiązania chemiczne występujące wzdłuŜdyslokacji krawędziowej mogą wiązać elektrony. Opracowano w tych pracach statystykęobsadzania stanów elektronowych dyslokacji uwzględniającą kulombowskie oddziaływaniemiędzy elektronami wychwyconymi wzdłuŜ dyslokacji, które powoduje, Ŝe stany te nigdycałkowicie nie zapełniają się elektronami. W 1963 r. T. Figielski ze współpracownikami zInstytutu Fizyki PAN w Warszawie badając fotoprzewodnictwo plastycznie deformowanegogermanu zauwaŜyli, Ŝe stacjonarna koncentracja wzbudzonych światłem nośników ładunkurośnie liniowo z logarytmem natęŜenia światła w bardzo szerokim zakresie oświetleń [8]. TazaleŜność jest dzisiaj wykorzystywana w technice eksperymentalnej DLTS (Deep LevelTransient Spectroscopy) [9, 10] do odróŜniania pułapek elektronowych związanych z defektamiliniowymi od pułapek związanych z defektami punktowymi. Wykorzystując model Shockleya-Reada T. Figielski zaproponował barierowy mechanizm rekombinacji nadmiarowych nośnikówładunku przez centra dyslokacyjne [11], który tłumaczy zarówno fotoprzewodnictwo stacjonarnejak i logarytmiczną kinetykę zaniku fotoprzewodnictwa obserwowane w róŜnychpółprzewodnikach.7