Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

[25] Y. Zohta, M. O. Watanabe, J. Appl. Phys. 53, 1809 (1982).[26] G. M. Martin, S. Makram-Ebeid. In: Deep centers in semiconductors, Ed. S.T. Pantelides,Gordon and Breach Science Publisher, N. Y. (1986).[27] R. C. Newman, Semicond. Sci. Technol. 9, 1749 (1994).[28] H. Lefèvre, M. Schulz, Appl. Phys. A 12, 45 (1977).[29] J. Frenkel, Phys. Rev. 54, 647 (1938).[30] S. D. Ganichev, E. Ziemann, W. Prettl, I. N. Yassievich, A. A. Istratov, E. R. Weber, Phys.Rev. B, 61, 10361 (2000).[31] J. L. Hartke, J. Appl. Phys. 39, 4871 (1968).[32] J. Bourgoin, M. Lannoo, Point defects in semiconductors II, Springer, Berlin (1983).[33] S. D. Ganichev, I. N. Yassievich, W. Prettl, Fiz. Tverd. Tela 39, 1905 (1997).[34] C.H. Henry, D.V. Lang, Phys. Rev. B 15, 989 (1977).[35] K. Huang, A. Rhys, Proc. R. Soc. A 204, 406 (1950).[36] V. Karpus, V. I. Perel, Zh. Eksp. Teor. Fiz. 91, 2319 (1986).[37] S. Makram-Ebeid and M. Lannoo, Phys. Rev. B, 25, 6406 (1982).[38] S. Makram-Ebeid and M. Lannoo, Phys. Rev. Lett., 48, 1281 (1982).[39] S. D. Ganichev, W. Prettl, P. G. Huggard, Phys. Rev. Lett. 71, 3882 (1993).[40] A. V. Markevich, V. V. Litvinov, V. V. Emtsev, V. P. Markevich, A. R. Peaker, Physica B,376-377, 61 (2006).[41] V. P. Markevich, A. R. Peaker, V. V. Litvinov, L. I. Murin, N. V. Abrosimov, Physica B376-377, 200 (2006).[42] Yu. K. Krutogolov, Fiz. Tekch. Poluprov., 42, 171 (2008).[43] N. A. Akimow, D. Jaworska, F. F. Komarow, L. A. Własukowa, Defekty i domieszki warsenku galu (UMCS, Lublin, 2005).[44] G. M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea, Electron. Lett. 13, 191 (1977).[45] A. Mitonneau, G. M. Martin, A. Mircea, Electron. Lett. 13, 666 (1977).[46] T. Wosiński, A. Mąkosa, Z. Witczak, Semicond. Sci. Technol. 9, 2047 (1994).[47] L. Dobaczewski, Mater. Sci. Forum 38-41, 113 (1989).[48] A. Mąkosa, T. Wosiński, W. Szkiełko, Acta Phys. Polon. A 82, 813 (1992).[49] D. Pons, J. Appl. Phys. 55, 3644 (1984).[50] M. Skowronski, S. T. Neild, R. E. Kremer, Appl. Phys. Lett. 57, 902 (1990).[51] U. Kaufmann, E. Klausmann, J. Schneider, H. Ch. Alt, Phys. Rev. B 43, 12106 (1991).[52] F. K. Koschnick, M. Linde, M. V. B. Pinheiro, J.-M. Spaeth, Phys. Rev. B 56, 10221 (1997).[53] T. Tsarova, T. Wosiński, A. Mąkosa, Z. Tkaczyk, Semicond. Sci. Technol. (w recenzji).83