Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

Rys. 5.2. Schematyczna struktura diody laserowej wytworzonej metodą PAMBE, według [78].Warstwa kontaktowaGórna warstwa „cladding“Górna warstwa „wave-guiding”Warstwa blokującaWielostudnia kwantowaDolna warstwa „wave- guiding”Dolna warstwa „cladding“Warstwa buforowaPodłoŜe100 nm GaN:Mg2.5 nm In 0.01 Ga 0.99 N:Mg×802.5 nm In 0.01 Al 0.16 Ga 0.83 N:Mg70 nm In 0.01 Ga 0.99 N:Mg14 nm In 0.01 Al 0.16 Ga 0.83 N:Mg4 nm In 0.09 Ga 0.91 N×57 nm In 0.01 Ga 0.99 N:Si40 nm In 0.01 Ga 0.99 N:Si100 nm GaN:Si550 nm Al 0.08 Ga 0.92 N:Si200 nm GaN:SiMOVPE warstwa buforowa 2µm GaNPodłoŜe GaNTabela 5.1. Struktura diody laserowej.68