Spektroskopia pojemnoÅciowa wybranych defektÃ³w w ...

More documents

Recommendations

Info

[25] Y. Zohta, M. O. Watanabe, J. Appl. Phys. 53, 1809 (1982).[26] G. M. Martin, S. Makram-Ebeid. In: Deep centers in semiconductors, Ed. S.T. Pantelides,Gordon and Breach Science Publisher, N. Y. (1986).[27] R. C. Newman, Semicond. Sci. Technol. 9, 1749 (1994).[28] H. Lefèvre, M. Schulz, Appl. Phys. A 12, 45 (1977).[29] J. Frenkel, Phys. Rev. 54, 647 (1938).[30] S. D. Ganichev, E. Ziemann, W. Prettl, I. N. Yassievich, A. A. Istratov, E. R. Weber, Phys.Rev. B, 61, 10361 (2000).[31] J. L. Hartke, J. Appl. Phys. 39, 4871 (1968).[32] J. Bourgoin, M. Lannoo, Point defects in semiconductors II, Springer, Berlin (1983).[33] S. D. Ganichev, I. N. Yassievich, W. Prettl, Fiz. Tverd. Tela 39, 1905 (1997).[34] C.H. Henry, D.V. Lang, Phys. Rev. B 15, 989 (1977).[35] K. Huang, A. Rhys, Proc. R. Soc. A 204, 406 (1950).[36] V. Karpus, V. I. Perel, Zh. Eksp. Teor. Fiz. 91, 2319 (1986).[37] S. Makram-Ebeid and M. Lannoo, Phys. Rev. B, 25, 6406 (1982).[38] S. Makram-Ebeid and M. Lannoo, Phys. Rev. Lett., 48, 1281 (1982).[39] S. D. Ganichev, W. Prettl, P. G. Huggard, Phys. Rev. Lett. 71, 3882 (1993).[40] A. V. Markevich, V. V. Litvinov, V. V. Emtsev, V. P. Markevich, A. R. Peaker, Physica B,376-377, 61 (2006).[41] V. P. Markevich, A. R. Peaker, V. V. Litvinov, L. I. Murin, N. V. Abrosimov, Physica B376-377, 200 (2006).[42] Yu. K. Krutogolov, Fiz. Tekch. Poluprov., 42, 171 (2008).[43] N. A. Akimow, D. Jaworska, F. F. Komarow, L. A. Własukowa, Defekty i domieszki warsenku galu (UMCS, Lublin, 2005).[44] G. M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea, Electron. Lett. 13, 191 (1977).[45] A. Mitonneau, G. M. Martin, A. Mircea, Electron. Lett. 13, 666 (1977).[46] T. Wosiński, A. Mąkosa, Z. Witczak, Semicond. Sci. Technol. 9, 2047 (1994).[47] L. Dobaczewski, Mater. Sci. Forum 38-41, 113 (1989).[48] A. Mąkosa, T. Wosiński, W. Szkiełko, Acta Phys. Polon. A 82, 813 (1992).[49] D. Pons, J. Appl. Phys. 55, 3644 (1984).[50] M. Skowronski, S. T. Neild, R. E. Kremer, Appl. Phys. Lett. 57, 902 (1990).[51] U. Kaufmann, E. Klausmann, J. Schneider, H. Ch. Alt, Phys. Rev. B 43, 12106 (1991).[52] F. K. Koschnick, M. Linde, M. V. B. Pinheiro, J.-M. Spaeth, Phys. Rev. B 56, 10221 (1997).[53] T. Tsarova, T. Wosiński, A. Mąkosa, Z. Tkaczyk, Semicond. Sci. Technol. (w recenzji).83
[54] G. D. Watkins, J. W. Corbett, Phys. Rev. 121, 1001 (1961).[55] D. C. Look, S. Chaudhuri, J. R. Sizelove, Appl. Phys. Lett. 42, 829 (1983).[56] T. Tsarova, T. Wosiński, A. Mąkosa, Z. Tkaczyk, Mat. Sci. Semicond. Proc. 9, 351 (2006).[57] G. Marrakchi, A. Kalboussi, G. Bremond, G. Guillot, S. Alaya, H. Maaref, R. Fornari, J.Appl. Phys. 71, 3325 (1992).[58] V. Kolkovsky, K. Bonde Nielsen, A. Nylandsted Larsen, L. Dobaczewski, Phys. Rev. B 78,035211 (2008).[59] S. Poykko, M. J. Puska, R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 53, 3813 (1996).[60] C.-Y. Song, B. Pajot, C. Porte, Phys. Rev. B 41, 12330 (1990).[61] A. A. Kaplyanskii, Opt. Spectrosc. 16, 329 (1964).[62] L. Dobaczewski, A. R. Peaker, K. Bonde Nielsen, J. Appl. Phys. 96, 4689 (2004).[63] W. Schröter, J. Kronewitz, U. Gnauert, F. Riedel, M. Seibt, Phys. Rev. B 52, 13726 (1995).[64] P. N. Grillot, S. A. Ringel, E. A. Fitzgerald, G. P. Watson, Y. H. Xie, J. Appl. Phys. 77, 676(1995).[65] P. N. Grillot, S. A. Ringel, E. A. Fitzgerald, G. P. Watson, Y. H. Xie, J. Appl. Phys. 77,3248 (1995).[66] O. Chretien, R. Apetz, L. Vescan, Semicond. Sci. Technol. 11, 1838 (1996).[67] G. P. Watson, D. G. Ast, T. J. Anderson, B. Pathangey, Y. Hayakawa, J. Appl. Phys. 71,3399 (1992).[68] L. Panepinto, U. Zeimer, W. Seifert, M. Seibt, F. Bugge, M. Weyers, W. Schröter, Mater.Sci. Eng. B 42, 77 (1996).[69] D. Pal, E. Gombia, R. Mosca, A. Bosacchi, S. Franchi, J. Appl. Phys. 84, 2965 (1998).[70] T. Wosiński, O. Yastrubchak, A. Mąkosa, T. Figielski, J. Phys.: Condens. Matter 12, 10153(2000).[71] O. Yastrubchak, T. Wosiński, A. Mąkosa, T. Figielski, A. L. Tóth, Physica B 308-310, 757(2001).[72] Ł. Gelczuk, M. Dąbrowska-Szata, G. Jóźwiak, D. Radziewicz, Physica B 388, 195 (2007).[73] T. Wosiński, A. Mąkosa, T. Figielski, J. Raczyńska, Appl. Phys. Lett. 67, 1131 (1995).[74] E. Płaczek-Popko, J. Szatkowski, A. Hajdusianek, B. Radojewska, Proc. SPIE 2780, 153(1996).[75] F. Riedel, W. Schröter, Phys. Rev. B 62, 7150 (2000).[76] W. Schröter, H. Hedemann, V. Kveder, F. Riedel, J. Phys. Condens. Matter 14, 13047(2002).[77] I. Grzegory, S. Porowski, Thin Solid Films 367, 281 (2000).84
Page 2 and 3:
Spis treści.1. Wstęp. ...........
Page 4 and 5:
3) Defekt antypołoŜeniowy (antypo
Page 6 and 7:
Rys. 1.1. Model atomowy dwuluki w s
Page 8 and 9:
się od 10 2 do 10 3 cm -2 w najbar
Page 10 and 11:
podsieci Ga (tak dla GaAs, jak rów
Page 12 and 13:
W procesie epitaksjalnego wzrostu h
Page 15 and 16:
3kTJeŜeli jest spełniony warunek
Page 17 and 18:
JeŜeli koncentracja N d jest stał
Page 19 and 20:
ówne zero. Rozpatrujemy wówczas o
Page 21 and 22:
półprzewodnika typu n; rys. 2.4.
Page 23 and 24:
odbywa się wzrost pojemności zł
Page 25 and 26:
temperaturowym skanowaniu sygnału
Page 27 and 28:
odwrotności stałej czasowej emisj
Page 29 and 30:
Rys. 2.10. Schemat układu pomiarow
Page 31 and 32:
gdzieW RW − λ+∆W1∫1W R∫V +
Page 33 and 34: 3. Wpływ pola elektrycznego na emi
Page 35 and 36: pojemności: ∆ C t ) = C'(t ) −
Page 37 and 38: elektryczne działa na wychwycony p
Page 39 and 40: 3.2.2 Mechanizm tunelowania z udzia
Page 41 and 42: PołoŜenia równowagi stanu podsta
Page 43 and 44: diagramie konfiguracyjnym zjonizowa
Page 45 and 46: 4. Wyniki doświadczalne dla defekt
Page 47 and 48: napięciowych (C-V) obliczono warto
Page 49 and 50: Dla wyjaśnienia mechanizmów joniz
Page 51 and 52: charakteryzuje się ujemną energi
Page 53 and 54: natęŜenia pola elektrycznego jest
Page 55 and 56: wyznaczono częstotliwość przesko
Page 57 and 58: τ 2(10 -14 s)2,01,81,6F ⊥ (111)A
Page 59 and 60: Dobre dopasowanie uzyskano dla nat
Page 61 and 62: Rys. 4.12. Schematyczna struktura a
Page 63 and 64: Zgodnie z zaleŜnością (3.13) sta
Page 65 and 66: wydajność rekombinacji promienist
Page 67 and 68: modyfikuje szybkość wychwytu noś
Page 69 and 70: Rys. 5.2. Schematyczna struktura di
Page 71 and 72: Na podstawie pomiarów efektu Halla
Page 73 and 74: polaryzacji V R = 0 V i impulsu wst
Page 75 and 76: nośników (zgodnie z równaniem (5
Page 77 and 78: Na rysunku 5.9 pokazana jest zaleŜ
Page 79 and 80: Rys. 5.10. Model dyslokacji przenik
Page 81 and 82: 6. Podsumowanie.W niniejszej pracy
Page 83: Spis literatury.[1] T. Figielski, Z
show all

Spektroskopia pojemnoÅciowa wybranych defektÃ³w w ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?

Spektroskopia pojemnoÅciowa wybranych defektÃ³w w ...