Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

Na podstawie pomiarów efektu Halla na pojedynczych warstwach In 0.01 Ga 0.99 Ndomieszkowanych Si bądź Mg i hodowanych techniką PAMBE w warunkach takich samych, jakdla diody laserowej, wykonawcy diody podają koncentracje płytkich domieszek: 5×10 18 cm -3 wwarstwie falowodowej In 0.01 Ga 0.99 N:Si (typu n) oraz 2×10 18 cm -3 w warstwie falowodowejIn 0.01 Ga 0.99 N:Mg (typu p) [78]. Porównując powyŜsze dane z wynikami otrzymanymi zcharakterystyk C-V dla diody laserowej wnioskujemy, Ŝe koncentracja domieszek 3×10 18 cm -3odnosi się do obszaru typu n a koncentracja 1.5×10 18 cm -3 – do obszaru typu p.ZauwaŜamy tu pewną osobliwość obszaru ładunku przestrzennego badanego złącza p-ndiody laserowej. Osobliwość ta polega na tym, Ŝe choć wartość koncentracji donorów jest dwarazy większa od wartości koncentracji akceptorów, to obszar ładunku przestrzennego poprzyłoŜeniu napięcia zaporowego od 0 do -2 V zaczyna się rozciągać w stronę In 0.01 Ga 0.99 N:Si(typu n), a dopiero po przyłoŜeniu większego napięcia (do -4 V) – w stronę In 0.01 Ga 0.99 N:Mg(typu p). MoŜliwe jest, Ŝe takie niestandardowe zachowanie obszaru ładunku przestrzennegozwiązane jest z obecnością cienkiej warstwy blokującej In 0.01 Al 0.16 Ga 0.83 N:Mg, o większejszerokości przerwy wzbronionej, która znajduje się po stronie p złącza p-n.E c0-2VtT3E FE v0VtE FT1T2-4p-typeb. l.n-typeRys. 5.4. Schematyczne przedstawienie przebiegu pasm energetycznych złącza p-n diodylaserowej na bazie GaN przy ustawieniu róŜnych warunków napięcia zaporowego (b.l. –warstwa blokująca). Na podstawie pomiarów DLTS moŜna wnioskować, Ŝe pułapki T1 i T2 orazT3 znajdują się w róŜnych obszarach tego złącza.To przypuszczenie zgadza się z obliczonymi przez nas wartościami szerokości obszaruładunku przestrzennego. Szerokość obszaru ładunku przestrzennego przy napięciu zaporowym70