Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

Na rysunku 5.9 pokazana jest zaleŜność kształtu linii i amplitudy sygnału DLTS od czasutrwania impulsu zapełniającego dla pułapki T1, zmierzonej przy ustalonym oknieszybkości 7.2 s -1 . Na rysunku wyraźnie widać, Ŝe zwiększanie czasu trwania impulsuzapełniającego wywołuje poszerzenie linii DLTS pułapki T1. Maksimum linii DLTS pułapkiprzesuwają się w stronę niŜszych temperatur podczas wzrostu czasu trwania impulsuzapełniającego, natomiast po stronie temperatur wysokich linie DLTS schodzą się. Takiezachowywanie kształtu linii DLTS w zaleŜności od czasu trwania impulsu zapełniającegoświadczy o tym, Ŝe stany elektronowe pułapki T1, związanej z dyslokacjami, naleŜą do klasystanów pasmopodobnych, według klasyfikacji opisanej w rozdz. 5.2.5.6. Dyskusja i wnioski.O pułapce elektronowej T1 dowiedzieliśmy się, Ŝe ma logarytmiczną kinetykę wychwytunośników i Ŝe jej stany elektronowe naleŜą do klasy stanów pasmopodobnych, co pokazuje, Ŝepułapka ta jest najprawdopodobniej związana z elektronowymi stanami rdzenia dyslokacji.Występowanie dyslokacji w heterostrukturze diody laserowej na bazie azotku galu, wytworzonejna podłoŜu GaN z bardzo niską gęstością dyslokacji, jest wynikiem procesów relaksacjinapręŜeń w niedopasowanych sieciowo warstwach AlGaN oraz InGaN zachodzących podczaswzrostu tych warstw. Obecność dyslokacji ujawniono niedawno w heterostrukturach podobnychdiod laserowych hodowanych metodą epitaksji z fazy gazowej z uŜyciem związkówmetaloorganicznych (MOVPE) na podłoŜach GaN w Instytucie Wysokich Ciśnień. Zarównoprzy uŜyciu transmisyjnej mikroskopii elektronowej [79] jak i selektywnego trawieniachemicznego [80] zaobserwowano obecność dyslokacji przenikających o gęstości rzędu 10 5 cm -2w tych strukturach.Prawdopodobnie tę samą pułapkę co T1, nazywaną E1, zaobserwowano niedawno wwidmie DLTS opisanej powyŜej, podobnej do badanej w niniejszej pracy, heterostrukturzehodowanej metodą MOVPE [81]. Wcześniej pułapkę E1 obserwowano techniką DLTS wwarstwach GaN typu n hodowanych metodą MOVPE na szafirze [82, 83]. ZauwaŜono, Ŝe jejkoncentracja rośnie z gęstością krawędziowych dyslokacji przenikających w tych warstwach isugerowano związek pułapek E1 z tymi dyslokacjami. Uzyskane w niniejszej pracy wynikibadań kinetyki wychwytu nośników na pułapkę T1 oraz kształtu jej linii DLTS stanowią silnepotwierdzenie związku pułapki ze stanami elektronowymi rdzenia tych dyslokacji. Na rys. 5.10pokazany jest model dyslokacji przenikającej w GaN, której stany elektronowe – według naszej76