Spektroskopia pojemnoÅciowa wybranych defektÃ³w w ...

More documents

Recommendations

Info

Rys. 5.11. ZaleŜność energii tworzenia od energii Fermiego dla defektów rodzimych wkryształach GaN hodowanych w warunkach nadmiaru galu; według obliczeńteoretycznych [89].Rys. 5.12. Model kryształu GaN o strukturze wurcytu. Schematycznie pokazane są defektypunktowe: po lewej stronie – antypołoŜeniowy azot N Ga , po prawej – luka azotowa V N .79
6. Podsumowanie.W niniejszej pracy wykorzystano technikę niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej(DLTS) do badania głębokich poziomów defektowych w kryształach i strukturachpółprzewodnikowych. Oprócz pomiaru standartowo wyznaczanych techniką DLTS parametrówgłębokich pułapek, takich jak: energia aktywacji, przekrój czynny na wychwyt nośnikówładunku oraz koncentracja pułapek, badano wpływ silnego pola elektrycznego na emisjęnośników ładunku z pułapek oraz kinetyki wychwytu nośników na pułapki. Badania te, którebyły głównym celem niniejszej rozprawy doktorskiej, pozwoliły na uzyskanie dodatkowychinformacji o badanych defektach, przydatnych do określenia ich mikroskopowej struktury.Badania przeprowadzono w domieszkowanym tellurem krysztale arsenku galu typu n (GaAs:Te)otrzymanym metodą Czochralskiego oraz w wytworzonej na bazie azotku galu heterostrukturzefioletowo-niebieskiej diody laserowej (AlGaN/InGaN/GaN) hodowanej metodą MBE.• Z kryształu GaAs:Te wycięto próbki o czterech róŜnych powierzchniachkrystalograficznych: (111)A, (111)B, (110) oraz (100), i wykonano na nich złączaSchottky’ego. W pomiarach DLTS zidentyfikowano trzy, powszechnie występujące wobjętościowych kryształach GaAs, głębokie pułapki elektronowe, znane jako EL2, EL3oraz EL5.• Na próbkach o róŜnej orientacji krystalograficznej przeprowadzono systematycznepomiary techniką DLTS z podwójną korelacją dla wyjaśnienia mechanizmów jonizacjigłębokich centrów pułapkowych związanych z defektami EL3 oraz EL5 w silnym poluelektrycznym. Zaobserwowana silna anizotropia zmian szybkości emisji termicznej dlapól elektrycznych skierowanych wzdłuŜ czterech podstawowych kierunkówkrystalograficznych pozwoliła na uzyskanie informacji o symetrii krystalograficznej tychdefektów.• ZaleŜności wpływu pola elektrycznego na szybkość emisji termicznej elektronów dladefektu EL3 w próbkach o orientacjach (111)A, (111)B oraz (110) opisane zostałyzgodnie z mechanizmem tunelowania z udziałem fononów. Wskazuje to na silnesprzęŜenie defektu EL3 z lokalnymi modami drgań sieci krystalicznej. Dla próbki oorientacji (100) zaobserwowano zaskakujące załamanie przebiegu zmian zaleŜnościszybkości emisji od pola elektrycznego.• Dla defektu EL5 zwiększenie szybkości emisji termicznej elektronów dla polaelektrycznego przyłoŜonego prostopadle do powierzchni krystalograficznych (111)A oraz80
Page 2 and 3:
Spis treści.1. Wstęp. ...........
Page 4 and 5:
3) Defekt antypołoŜeniowy (antypo
Page 6 and 7:
Rys. 1.1. Model atomowy dwuluki w s
Page 8 and 9:
się od 10 2 do 10 3 cm -2 w najbar
Page 10 and 11:
podsieci Ga (tak dla GaAs, jak rów
Page 12 and 13:
W procesie epitaksjalnego wzrostu h
Page 15 and 16:
3kTJeŜeli jest spełniony warunek
Page 17 and 18:
JeŜeli koncentracja N d jest stał
Page 19 and 20:
ówne zero. Rozpatrujemy wówczas o
Page 21 and 22:
półprzewodnika typu n; rys. 2.4.
Page 23 and 24:
odbywa się wzrost pojemności zł
Page 25 and 26:
temperaturowym skanowaniu sygnału
Page 27 and 28:
odwrotności stałej czasowej emisj
Page 29 and 30: Rys. 2.10. Schemat układu pomiarow
Page 31 and 32: gdzieW RW − λ+∆W1∫1W R∫V +
Page 33 and 34: 3. Wpływ pola elektrycznego na emi
Page 35 and 36: pojemności: ∆ C t ) = C'(t ) −
Page 37 and 38: elektryczne działa na wychwycony p
Page 39 and 40: 3.2.2 Mechanizm tunelowania z udzia
Page 41 and 42: PołoŜenia równowagi stanu podsta
Page 43 and 44: diagramie konfiguracyjnym zjonizowa
Page 45 and 46: 4. Wyniki doświadczalne dla defekt
Page 47 and 48: napięciowych (C-V) obliczono warto
Page 49 and 50: Dla wyjaśnienia mechanizmów joniz
Page 51 and 52: charakteryzuje się ujemną energi
Page 53 and 54: natęŜenia pola elektrycznego jest
Page 55 and 56: wyznaczono częstotliwość przesko
Page 57 and 58: τ 2(10 -14 s)2,01,81,6F ⊥ (111)A
Page 59 and 60: Dobre dopasowanie uzyskano dla nat
Page 61 and 62: Rys. 4.12. Schematyczna struktura a
Page 63 and 64: Zgodnie z zaleŜnością (3.13) sta
Page 65 and 66: wydajność rekombinacji promienist
Page 67 and 68: modyfikuje szybkość wychwytu noś
Page 69 and 70: Rys. 5.2. Schematyczna struktura di
Page 71 and 72: Na podstawie pomiarów efektu Halla
Page 73 and 74: polaryzacji V R = 0 V i impulsu wst
Page 75 and 76: nośników (zgodnie z równaniem (5
Page 77 and 78: Na rysunku 5.9 pokazana jest zaleŜ
Page 79: Rys. 5.10. Model dyslokacji przenik
Page 83 and 84: Spis literatury.[1] T. Figielski, Z
Page 85 and 86: [54] G. D. Watkins, J. W. Corbett,
show all

Spektroskopia pojemnoÅciowa wybranych defektÃ³w w ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?

Spektroskopia pojemnoÅciowa wybranych defektÃ³w w ...