Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

[ − ( E E kT ]en = ( σnvnNc/ g) expc−t/ , (2.17)natomiast szybkość emisji termicznej dziur do pasma walencyjnego:gdzie:[ − ( E E kT ]ep= ( σpvpNv/ g)expt−v/ , (2.18)N c(v) jest efektywną gęstością stanów w paśmie przewodnictwa (c) lub walencyjnym (v) i wyraŜasię zaleŜnością:Nc(v)*( 2πmkT )g – degeneracja poziomu pułapek;3 / 22e(p)= , gdzie h jest stałą Plancka;3hE c(v) – energia dna pasma przewodnictwa lub wierzchołka pasma walencyjnego;E t – energia głębokiego poziomu.Odwrotnością szybkości emisji termicznej jest stała czasowa emisji nośników z pułapekopisywana następującą zaleŜnością:1τ = , (2.19)e n ( p)gdzieτ - jest stałą czasową emisji (uwalniania) nośników z pułapek.2.3. Podstawy niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów (DLTS).Metoda DLTS, która wykorzystuje techniki pomiarów pojemnościowych, słuŜy dookreślenia podstawowych parametrów głębokich stanów elektronowych, takich jak energiajonizacji termicznej, przekrój czynny na wychwyt elektronu lub dziury, koncentracja pułapek.Williams [20] po raz pierwszy zaproponował określenie podstawowych parametrów głębokichpoziomów przy wykorzystaniu pojemności nierównowagowej złącza półprzewodnikowego. Tęideę późnej rozwinęli Sah i współpracownicy [21], aŜ w końcu legła ona u podstaw opracowanejprzez D.V. Langa metody pomiarowej DLTS [22]. Metoda ta ma wysoką czułość, jest szybka iłatwa do analizy. Daje ona moŜliwość otrzymania widma wszystkich głębokich poziomów wkrysztale w funkcji temperatury, które ma postać dodatnich lub ujemnych linii (ekstremów)pojemności (znak linii wskazuje, czy dany poziom stanowi pułapkę nośników większościowych,czy teŜ mniejszościowych).Zmiana rozkładu ładunku w obszarze ładunku przestrzennego złącza objawia się jakozmiana pojemności złącza. śeby określić wpływ głębokich poziomów pułapkowych napojemność złącza, rozpatrzmy obszar ładunku przestrzennego złącza Schottky’ego dla19