Spektroskopia pojemnoÅciowa wybranych defektÃ³w w ...

More documents

Recommendations

Info

WR+ ∆WWR−λNdx)⋅ xdx = Nt( x)∫ ∫WRW 1 −λ 1( ⋅ xdx(2.34)W większości przypadków zmiana pojemności ∆ C(0)jest mała w porównaniu zpojemnością C (przedstawioną wcześniej za pomocą równania (2.13)) oraz N d jest wolnozmienną funkcją w obszarzeWwolno zmienną funkcją w obszarzeR≤ x ≤ WR+ ∆W. Ponadto, jeŜeli przyjąć, Ŝe N t jest równieŜ1− λ ≤ x ≤ WR− λ , to moŜna otrzymać z (2.13) i (2.34)W1równanie dla koncentracji głębokich pułapek:gdzie:N ( Wm− λm)=Nd( WR) ⎛ λ ⎞⎜1−W⎟⎝ R ⎠⎛W1− λ1⎞−⎜W⎟⎝ R ⎠2∆C(0⋅Ct 1)22, (2.35)1Wm − λm= [( WR− λ)+ ( W1 − λ 1)]. (2.36)2Równanie (2.35) sprowadza się do znanego równania (2.21) przy spełnieniunastępujących warunków: λ / W R
3. Wpływ pola elektrycznego na emisję termiczną nośników ładunku zgłębokich centrów.Głębokie centra defektowe odgrywają zasadniczą rolę w elektronowych właściwościachmateriałów półprzewodnikowych i dlatego są przedmiotem intensywnych badań [26, 27].Właśnie głębokie centra zwykle określają czas Ŝycia nośników nierównowagowych, działającjako centra rekombinacji niepromienistej oraz jonizacji termicznej. Jedną z tradycyjnych metodbadania głębokich poziomów energetycznych defektów i domieszek jest badanie wpływu polaelektrycznego na procesy jonizacji termicznej oraz wychwytu nośników. W szczególności,badanie jonizacji bądź wychwytu nośników w silnym polu elektrycznym okazuje się faktyczniejedyną metodą, która pozwala znaleźć parametry przejść wielofononowych. Jedną z najczęściejuŜywanych technik pomiarowych jest niestacjonarna spektroskopia głębokich poziomów(DLTS) i jej roŜne modyfikacje (w niniejszej pracy uŜywano metody DDLTS).3.1. Metoda DDLTS (Double correlation Deep Level Transient Spectroscopy).Zakres głębokości obszaru ładunku przestrzennego, badanego za pomocą metody DLTS,zaleŜy od przyłoŜonego napięcia zaporowego oraz impulsu zapełniającego, które dają moŜliwośćustalenia odpowiednio maksymalnej i minimalnej wartości głębokości. Rejestrując zmianypojemności DLTS przy róŜnych warunkach napięciowych, a następnie odejmując je od siebie(ten proces będzie opisywany niŜej), moŜliwe jest obserwowanie defektów, które leŜą wyłączniew ograniczonym obszarze. Metoda ta jest zwykle wykorzystywana do pomiarów profilukoncentracji defektów w głąb obszaru ładunku przestrzennego. Została ona opracowana przezH. Lefèvre’a i M. Schulz’a [28] i nosi nazwę DDLTS (z języka angielskiego: Double correlationDLTS).Jednak metoda DDLTS nie ogranicza się tylko do pomiarów profilu koncentracjidefektów w głąb. Na rys. 2.1 (b) pokazano, Ŝe pole elektryczne F w obszarze ładunkuprzestrzennego zmienia się liniowo ze zmianą głębokości i opisane jest równaniem [16]:F(x)eN( Wd R= , (3.1)Defekty na róŜnych głębokościach poniŜej powierzchni złącza doznają wpływu od róŜnychwartości pola elektrycznego. Prowadząc pomiar tylko w ograniczonym przedziale głębokościobszaru ładunku przestrzennego moŜna zaobserwować, jak zachowuje się defekt pod wpływemεεo− x)32
Page 2 and 3: Spis treści.1. Wstęp. ...........
Page 4 and 5: 3) Defekt antypołoŜeniowy (antypo
Page 6 and 7: Rys. 1.1. Model atomowy dwuluki w s
Page 8 and 9: się od 10 2 do 10 3 cm -2 w najbar
Page 10 and 11: podsieci Ga (tak dla GaAs, jak rów
Page 12 and 13: W procesie epitaksjalnego wzrostu h
Page 15 and 16: 3kTJeŜeli jest spełniony warunek
Page 17 and 18: JeŜeli koncentracja N d jest stał
Page 19 and 20: ówne zero. Rozpatrujemy wówczas o
Page 21 and 22: półprzewodnika typu n; rys. 2.4.
Page 23 and 24: odbywa się wzrost pojemności zł
Page 25 and 26: temperaturowym skanowaniu sygnału
Page 27 and 28: odwrotności stałej czasowej emisj
Page 29 and 30: Rys. 2.10. Schemat układu pomiarow
Page 31: gdzieW RW − λ+∆W1∫1W R∫V +
Page 35 and 36: pojemności: ∆ C t ) = C'(t ) −
Page 37 and 38: elektryczne działa na wychwycony p
Page 39 and 40: 3.2.2 Mechanizm tunelowania z udzia
Page 41 and 42: PołoŜenia równowagi stanu podsta
Page 43 and 44: diagramie konfiguracyjnym zjonizowa
Page 45 and 46: 4. Wyniki doświadczalne dla defekt
Page 47 and 48: napięciowych (C-V) obliczono warto
Page 49 and 50: Dla wyjaśnienia mechanizmów joniz
Page 51 and 52: charakteryzuje się ujemną energi
Page 53 and 54: natęŜenia pola elektrycznego jest
Page 55 and 56: wyznaczono częstotliwość przesko
Page 57 and 58: τ 2(10 -14 s)2,01,81,6F ⊥ (111)A
Page 59 and 60: Dobre dopasowanie uzyskano dla nat
Page 61 and 62: Rys. 4.12. Schematyczna struktura a
Page 63 and 64: Zgodnie z zaleŜnością (3.13) sta
Page 65 and 66: wydajność rekombinacji promienist
Page 67 and 68: modyfikuje szybkość wychwytu noś
Page 69 and 70: Rys. 5.2. Schematyczna struktura di
Page 71 and 72: Na podstawie pomiarów efektu Halla
Page 73 and 74: polaryzacji V R = 0 V i impulsu wst
Page 75 and 76: nośników (zgodnie z równaniem (5
Page 77 and 78: Na rysunku 5.9 pokazana jest zaleŜ
Page 79 and 80: Rys. 5.10. Model dyslokacji przenik
Page 81 and 82: 6. Podsumowanie.W niniejszej pracy
Page 83 and 84:
Spis literatury.[1] T. Figielski, Z
Page 85 and 86:
[54] G. D. Watkins, J. W. Corbett,
show all

Spektroskopia pojemnoÅciowa wybranych defektÃ³w w ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?

Spektroskopia pojemnoÅciowa wybranych defektÃ³w w ...