Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

Rys. 4.12. Schematyczna struktura atomowa dwuluki, V As -V Ga , odpowiedzialnej zadefekt EL5 w GaAs.4.5. Dyskusja i wnioski.Silnie anizotropowe zaleŜności szybkości emisji elektronów od pola elektrycznegozaobserwowane dla obu defektów, EL3 oraz EL5, dowodzą, Ŝe nie są one izolowanymidefektami punktowymi o symetrii kubicznej, lecz złoŜonymi defektami o obniŜonej symetrii. Napodstawie uzyskanych wyników oraz danych z literatury zaproponowano mikroskopowąstrukturę atomową defektu EL5 jako dwuluki V As –V Ga o lokalnej symetrii trygonalnej.Natomiast wyniki uzyskane dla defektu EL3 są zgodne z zaproponowanym wcześniej modelemdefektu, w którym tlen zastępuje arsen w sieci krystalicznej GaAs i przesuwa się z połoŜeniawęzłowego wzdłuŜ kierunku 〈100〉 do połoŜenia międzywęzłowego. Defekt ten wykazujelokalną symetrię rombową C 2V , co zostało potwierdzone zarówno w badaniach zlokalizowanychmodów wibracyjnych (LVM) pod ciśnieniem jednoosiowym [60], jak i w pomiarach technikąODENDOR (optycznie detekowany podwójny rezonans elektronowo-jądrowy) [52].Zaobserwowana w niniejszej pracy niemonotoniczna zaleŜność szybkości emisji termicznej zdefektu EL3 od natęŜenia pola elektrycznego skierowanego wzdłuŜ kierunku 〈100〉 zostałazinterpretowana jako wynik wywołanej silnym polem elektrycznym moŜliwej reorientacjidefektu, w której atom tlenu przeskakuje do sąsiedniego połoŜenia międzywęzłowego lub zostajeunieruchomiony w jednym z dwóch połoŜeń międzywęzłowych.Oba defekty, EL3 oraz EL5, o obniŜonej symetrii lokalnej mogą być rozmieszczone wkubicznej sieci krystalicznej GaAs wzdłuŜ kilku róŜnych równowaŜnych kierunkówkrystalograficznych. Charakteryzują się one tzw. degeneracją orientacyjną. Zewnętrzne60