Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

pasmopodobnych, ze wzrostem czasu trwania impulsu zapełniającego linia DLTS poszerza się ajej maksimum przesuwa się w stronę niŜszych temperatur, podczas gdy jej krawędźwysokotemperaturowa nie przesuwa się. Takie zachowanie linii DLTS wynika z faktu, Ŝewychwytywane podczas impulsu zapełniającego nośniki ładunku najpierw obsadzają najgłębiejpołoŜone w przerwie wzbronionej stany pasma defektowego, a w miarę wzrostu współczynnikazapełnienia pasma, obsadzają coraz płytsze jego stany. Dla obu klas stanów związanych zdefektami rozciągłymi zachowana jest logarytmiczna kinetyka wychwytu nośników ładunku alinie DLTS są poszerzone; ich szerokość określona jest przez szerokość energetyczną pasmadefektowego w przerwie wzbronionej.5.3. Heterostruktura diody laserowej.Heterostruktura fioletowo-niebieskiej diody laserowej na bazie azotku galu zostaławyhodowana metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu (PAMBE)na bezdyslokacyjnym podłoŜu GaN; rys. 5.2. PodłoŜa takie, otrzymane metodą syntezywysokociśnieniowej (w temperaturze ok. 1500 o C i ciśnieniu ok. 1.5 GPa) [77], charakteryzująsię wysoką jakością strukturalną i bardzo niską gęstością dyslokacji (poniŜej 100 cm -2 ). Wysokąjakość interfejsów między warstwami oraz poszczególnych warstw heterostruktury uzyskanodzięki zastosowaniu w metodzie PAMBE wzrostu w warunkach nadmiaru galu oraz stosunkowoniskiej temperatury. Badana heterostruktra zawierała wielostudnię kwantową InGaN/GaN (ozn.MQWs na rys. 5.2) jako obszar czynny, znajdującą się między dwiema warstwamifalowodowymi (ang.: wave-guiding layers) azotku galu (z 1% zawartością In)domieszkowanymi krzemem Si (typu n) z jednej strony oraz magnezem Mg (typu p) z drugiej;oraz dwiema warstwami „okrywającymi” AlGaN (ang.: cladding layers), typu n z jednej stronyoraz supersieci (SLs), typu p z drugiej. Te powyŜej wymienione warstwy przykryte były warstwąkontaktową azotku galu silnie domieszkowanego magnezem. Dodatkowo, cienka warstwablokująca InAlGaN, domieszkowana Mg, była osadzona po stronie p złącza p-n. Szczegółowainformacja o strukturze jest przedstawiona w tabeli 5.1.67