Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

dyslokacji, której wysokość rośnie z ilością wychwyconych nośników ładunku. Takieoddziaływanie ujawnia się w pomiarach DLTS jako liniowa zaleŜność amplitudy sygnału DLTSod logarytmu czasu trwania impulsu zapełniającegozaleŜnością [10]:tpi moŜe być opisane następującą⎛ tp+ tt⎞n =⎜⎟t( tp) Ntcn( p)ttln , (5.1)⎝ tt⎠gdzie n t – jest koncentracją pułapek obsadzonych przez elektrony lub dziury, t t - jest stałączasową zaleŜną od parametrów defektu. Zjawisko to obserwowano w badaniach DLTSdyslokacji w plastycznie zdeformowanym Si [9, 63] oraz GaAs [10], jak równieŜ wheterozlączach z niedopasowaniem sieci krystalicznej, takich jak SiGe/Si [64–66], InGaAs/GaAs[67-72] oraz GaAsSb/GaAs [73, 74].W odróŜnieniu, izolowane defekty punktowe bądź domieszki charakteryzują sięeksponencjalną kinetyką wychwytu nośników, dla której zaleŜność koncentracji obsadzonychpułapek od czasu zapełniania ma postać [16]:nt= N 1−exp( −ct )] . (5.2)t[ n( p)pW tym przypadku, w pomiarach techniką DLTS, następuje charakterystyczne szybkie nasycenieamplitudy sygnału DLTS podczas zwiększania czasu trwania impulsu zapełniającego. Takiezachowanie jest typowe dla nieoddziaływujących defektów punktowych. PoniewaŜ amplitudasygnału DLTS jest proporcjonalna do koncentracji głębokich pułapekNt, aby określić ichkoncentrację, naleŜy wykonać pomiar z czasem zapełniania, przy którym następuje nasycenieamplitudy sygnału.5.2. Analiza kształtu linii sygnału DLTS defektów rozciągłych.Defekty rozciągłe przestrzennie, wskutek ich wieloelektronowego charakteru, związanesą z duŜą ilością stanów elektronowych w przerwie wzbronionej półprzewodnika. Tworzą onewąskie pasmo energetyczne w przerwie wzbronionej a nie izolowane poziomy energetycznecharakterystyczne dla defektów punktowych. Kształt linii DLTS w przypadku defektówrozciągłych analizuje szczegółowo model zaproponowany przez Schrötera i współpracowników[63, 75, 76]. W modelu tym defekty rozciągłe charakteryzowane są za pomocą: (1) gęstościstanów defektowego pasma energetycznego N d (E), z którą związane jest poszerzenie linii DLTS;(2) barierą na wychwyt δE C , która zmienia się ze zmianą ładunku wychwyconych nośników oraz65