Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

Na rys. 5.6. pokazana jest temperaturowa zaleŜność szybkości emisji termicznychnośników z pułapek T1, T2, T3 oraz T4, obliczonych z widm DLTS zmierzonych dla róŜnych„okien szybkości”. Z nachylenia wykresów Arrheniusa oraz zaleŜności (2.17) i (2.18) zostałyobliczone energie aktywacji tych pułapek oraz ich przekroje czynne na wychwyt elektronów(dziur), które wynoszą: E a = E c - 0.28 eV oraz σ n = 7.8×10 -12 cm 2 dla T1, E a = E c - 0.60 eV orazσ n = 4.9×10 -13 cm 2 dla T2, E a = E v + 0.33 eV oraz σ p = 4.3×10 -18 cm 2 dla T3, oraz E a = 0.20 eVdla T4. Dla pułapki nośników mniejszościowych T4 nie moŜna na podstawie otrzymanychwyników pomiarów DLTS określić przekroju czynnego na wychwyt (ani teŜ koncentracjipułapek), poniewaŜ nie wiemy, czy jest to pułapka dziurowa w obszarze typu n, czy teŜ pułapkaelektronowa typu p.10 4 T2: E a=E c- 0.60 eV T1: E a=E c- 0.28 eVT3: E a=E v+ 0.33 eV T4: E a= 0.20 eVT2T 2 /e (K 2 /s -1 )10 310 2T3T1T410 13 4 5 6 7 8 9 10 11 12 131000/T (K -1 )Rys. 5.6. Temperaturowe zaleŜności szybkości emisji termicznych nośników (wykresyArrheniusa) dla pułapek T1, T2, T3 oraz T4 obserwowanych w widmach DLTS diody laserowejna bazie GaN.Ponadto, znalezione pułapki wykazują róŜne kinetyki wychwytu nośników ładunku. Narys. 5.7. przedstawiono zaleŜność amplitudy sygnału DLTS od logarytmu czasu trwania impulsuzapełniającego pułapki. Pułapka T1 charakteryzuje się logarytmiczną kinetyką wychwytu73