Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

Rys. 5.10. Model dyslokacji przenikającej w strukturze wurcytu GaN. Atomy N są pokazane naniebiesko, atomy Ga - na róŜowo. Oś c [0001] w strukturze wurcytu jest prostopadła dopłaszczyzny rysunku.Niedawne obliczenia teoretyczne z pierwszych zasad struktury i energii rodzimychdefektów punktowych w azotkach grupy III [89, 90] pokazały, Ŝe luka azotowa V N , manajmniejszą energię tworzenia w GaN typu p hodowanym w warunkach nadmiaru galu i moŜepowstać w znacznej koncentracji podczas wzrostu struktury. Na rys. 5.11 pokazano zaleŜnośćenergii tworzenia od energii Fermiego dla defektów rodzimych w GaN hodowanym wwarunkach wzbogacenia galem. Zaproponowaliśmy [88], Ŝe właśnie ten defekt moŜe byćdobrym kandydatem na defekt odpowiedzialny za wyznaczoną przez nas dominującą pułapkę T3w warstwie typu p heterostruktury diody laserowej. Teoretycznie obliczony poziomenergetyczny dodatnio naładowanej luki azotowej V N , znajduje się w przedziale energii między0.39 eV [91] i 0.59 eV [89] powyŜej wierzchołka pasma walencyjnego. Biorąc pod uwagę błądobliczeń teoretycznych wartości połoŜenia poziomów energetycznych, wyniki obliczeń są bliskieotrzymanej przez nas energii aktywacji pułapki T3: E a = E v + 0.33 eV.W podsumowaniu, opierając się na otrzymanych wynikach pomiarów DLTS oraz nawynikach z literatury doszliśmy do wniosku, Ŝe pułapka T1 jest związana ze stanamielektronowymi rdzenia dyslokacji, natomiast za pułapki T2 i T3 odpowiedzialne są rodzimedefekty punktowe – odpowiednio: antypołoŜeniowy azot N Ga oraz luka azotowa V N . Na rys. 5.12schematycznie przedstawione są oba te defekty w strukturze krystalicznej GaN.78