Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

2) Metoda pozwala określić, w jaki sposób emisja elektronów zaleŜy od przyłoŜonegopola elektrycznego, które przyjmuje róŜne wartości na róŜnych głębokościach obszaru ładunkuprzestrzennego.3) Podwójna korelacja stosowana w metodzie DDLTS prowadzi ponadto do zmniejszeniaszumów pomiarowych.3.2. ZaleŜność szybkości emisji nośników ładunku z głębokich pułapek od polaelektrycznego.W rozdziale 2.1 wspominano, Ŝe pole elektryczne istniejące w obszarze ładunkuprzestrzennego diody Schottky’ego moŜe być bardzo duŜe (rzędu 10 4 - 10 5 V·cm -1 ). JeŜelipułapka znajduje się w obszarze ładunku przestrzennego diody Schottky’ego, to będzie onapoddana wpływowi pola elektrycznego, które moŜe deformować kształt jej studni potencjału(potencjał Coulombowski). Zniekształcenie studni potencjału moŜe mieć wpływ naprawdopodobieństwo emisji nośników wychwyconych w studni. Stopień wynikającej z tegozaleŜności szybkości emisji nośników od pola elektrycznego zaleŜy, między innymi, od kształtuoraz wielkości studni potencjału.Wpływ pola elektrycznego na emisję nośników moŜe być rozpatrywany jako wynikjednego z trzech mechanizmów fizycznych:1) Efekt Poole’a-Frenkela, w którym elektron przechodzi ponad barierą potencjałustudni obniŜoną pod wpływem pola elektrycznego.2) Mechanizm tunelowania z udziałem fononów, w którym elektron absorbujeenergię termiczną drgań sieci krystalicznej i tuneluje przez barierę potencjału.3) Mechanizm czystego tunelowania, który ma znaczenie tylko przy bardzo silnychpolach elektrycznych - powyŜej 10 7 V/cm.W podrozdziałach 3.2.1 i 3.2.2 będą opisane pierwsze dwa mechanizmy zaleŜnościszybkości emisji od pola elektrycznego, które ujawniają się w zakresie praktyczniewystępujących pól elektrycznych, i będą równieŜ pokazane zasadnicze róŜnice między nimi.3.2.1 Efekt Poole’a-Frenkela.Najprostszym mechanizmem, zgodnie z którym szybkość emisji nośników ze studnipotencjału zwiększa się, jest klasyczny efekt Poole’a-Frenkela. Kiedy zewnętrzne pole35