Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

polaryzacji V R = 0 V i impulsu wstrzykującego w kierunku przewodzenia zaobserwowanowystępowanie pułapki nośników mniejszościowych, oznaczonej jako T4.T4TEMPERATURE [K]DLTS SIGNAL [arb. units]0(a)120 160 200 240 280T1T2× 10(b)T1T3Rys. 5.5. Widma DLTS złącza p-n diody laserowej na bazie GaN, zmierzone przyróŜnych warunkach napięcia zaporowego: (a) -2 V oraz (b) -4 V, przy ustalonym oknieszybkości 87 s -1 , impulsie zapełniającym V 1 = 0 V oraz czasie jego trwania t p = 100 µs.Znaleziono trzy głębokie pułapki nośników większościowych oznaczone jako T1, T2 oraz T3.Dla przebiegu (a) amplituda sygnału jest powiększona 10 razy. W warunkach polaryzacji wkierunku przewodzenia zaobserwowano występowanie pułapki nośników mniejszościowych,oznaczonej jako T4.Fakt, Ŝe róŜne pułapki nośników większościowych obserwowano w widmie DLTSmierzonym przy róŜnych warunkach napięcia zaporowego sugeruje, Ŝe pułapki te znajdują się wróŜnych obszarach diody laserowej. Wnioskujemy, Ŝe pułapki T1 i T2 są pułapkamielektronowymi znajdującymi się w warstwie falowodowej typu n In 0.01 Ga 0.99 N:Si (40 nm),natomiast T3 jest pułapką dziurową w warstwie falowodowej typu p In 0.01 Ga 0.99 N:Mg (70 nm),jak pokazano schematycznie na rys. 5.4. Z otrzymanych widm DLTS zostały obliczonekoncentracje trzech głębokich pułapek nośników większościowych: N t = 1.1×10 15 cm -3 dla T1,N t = 2.4×10 14 cm -3 dla T2 oraz N t = 3,3×10 15 cm -3 dla T3.72