Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

τ 2(10 -14 s)2,01,81,6F ⊥ (111)AF ⊥ (111)BF ⊥ (110)1,43,8 4,0 4,2 4,41000/T (K -1 )Rys. 4.8. Czasy tunelowania τ , wyznaczone z natęŜenia pola charakterystycznego F2c , wfunkcji odwrotności temperatury dla defektu EL3. Linie przerywane odpowiadająwyraŜeniu τ = τ + α / 2kTdopasowanemu do wyników eksperymentalnych.2 1h4.4. Defekt EL5: wpływ pola elektrycznego na szybkość emisji elektronów.Struktura atomowa defektu EL5 jest znacznie słabiej udokumentowana niŜ defektu EL3.Systematyczne badania natury centrum EL5 przeprowadzone w pracy [55] przy uŜyciu szeregumetod pomiarowych pokazały, Ŝe EL5 jest defektem rodzimym, nie związanym z Ŝadnądomieszką w GaAs. Uzyskane w niniejszej pracy wyniki, przedstawione poniŜej, dają noweinformacje na temat symetrii krystalograficznej defektu EL5 [53, 56].Na rys. 4.9 przedstawiono zaleŜności szybkości termicznej od pierwiastka z natęŜeniapola elektrycznego dla defektu EL5 dla czterech róŜnych kierunków wektora pola elektrycznego.Dla pola elektrycznego przyłoŜonego prostopadle do powierzchni krystalograficznych (111)Aoraz (111)B (rys. 4.9 (a, b)) zwiększenie szybkości emisji termicznej elektronów dla defektuEL5 jest stosunkowo słabe i moŜe być dobrze opisane zaleŜnością (3.5) dla mechanizmuPoole’a-Frenkela i trójwymiarowej Coulombowskiej studni potencjału, zgodnie z modelemHartke’ego. Wyniki dopasowania zaleŜności (3.5), gdzie jedynym parametrem dopasowania jeste (0) n, przedstawione są liniami przerywanymi na rys. 4.9.56