Spektroskopia pojemnoÅciowa wybranych defektÃ³w w ...

More documents

Recommendations

Info

zaburzenie, takie jak np. pole elektryczne lub ciśnienie jednoosiowe, przyłoŜone wzdłuŜwybranego kierunku krystalograficznego sieci kubicznej GaAs częściowo znosi tę degenerację.Powoduje to rozczepienie właściwości defektów o róŜnej orientacji względem wybranegokierunku. Szczegółowa analiza zjawisk wynikających ze zniesienia degeneracji orientacyjnej dlaróŜnych niekubicznych centrów w kryształach kubicznych, opracowana przy uŜyciu teorii grup,przedstawiona jest np. w pracy [61]. Lecz nawet prosta analiza geometryczna pokazuje, jakpowinna rozczepiać się np. linia DLTS pod wpływem zaburzenia jednoosiowego.Tak, na przykład, defekt EL3, który charakteryzuje się lokalną symetrią rombową C 2V ,jest sześciokrotnie zdegenerowany (są trzy równowaŜne kierunki 〈100〉 i kaŜdy ma dwaprzeciwne zwroty) w warunkach nieobecności zewnętrznego zaburzenia. Natomiast defekt EL5o symetrii trygonalnej ma degeneracje czterokrotną (są cztery równowaŜne kierunki 〈111〉 wsieci kubicznej GaAs). W obecności pola elektrycznego przyłoŜonego wzdłuŜ kierunkówkrystalograficznych 〈100〉 oraz 〈110〉 linia DLTS dla defektu EL3 powinna się rozczepić na dwieo amplitudach sygnału w stosunku 1:2. Natomiast przy przyłoŜeniu pola elektrycznego wzdłuŜkierunku 〈111〉 tego rozczepienia nie naleŜy się spodziewać (wynika to z obliczeń kąta międzykierunkami 〈100〉 a 〈111〉, który dla wszystkich kierunków równowaŜnych jest taki sam). Dladefektu EL5 o symetrii trygonalnej przy zewnętrznym zaburzeniu wzdłuŜ kierunkukrystalograficznego 〈100〉 równieŜ nie naleŜy się spodziewać rozczepienia. Natomiast dla polaelektrycznego przyłoŜonego wzdłuŜ kierunków 〈110〉 oraz 〈111〉 powinno się zaobserwowaćrozszczepienie na dwie linie o stosunku amplitud, odpowiednio, 2:2 oraz 3:1. W niniejszej pracytych rozszczepień nie widać, prawdopodobnie dlatego, Ŝe w standardowej metodzie DLTS liniesą zbyt szerokie. Natomiast obserwowane przesunięcie maksimum linii DLTS w funkcjinatęŜenia pola elektrycznego jest w rzeczywistości przesunięciem „środka cięŜkości” sumyrozszczepionych linii. W literaturze nie ma prawdopodobnie Ŝadnych prac, w których byłybydoniesienia o obserwacji rozszczepienia linii DLTS w silnym polu elektrycznym. W pracy [42]autor obserwuje jedynie rozczepienie linii DLTS od defektu typu DX w InGaP ze wzrostemnatęŜenia pola elektrycznego. Wywołane silnym polem elektrycznym rozszczepienie linii DLTSna pewno łatwej moŜna by było zaobserwować przy zastosowaniu metody Laplace DLTS [62],w której dzięki numerycznej obróbce sygnału uzyskano znaczne zwiększenie rozdzielczościenergetycznej pomiaru widma DLTS. Jednak, jak dotąd, nie ma prawdopodobnie w literaturzedoniesień o takich wynikach.Małe wartości stałych czasowych τ 1 , poniŜej 10 -14 s, otrzymane dla obu defektów EL3oraz EL5, wskazują na silne sprzęŜenie defektów z modami wibracyjnymi sieci krystalicznej.61
Zgodnie z zaleŜnością (3.13) stała czasowa τ 1 jest związana z okresem drgań własnych defektuoraz maleje ze wzrostem energii relaksacjiPodobnie krótki czasτ1 ≈ 3×10−15∆ ε charakteryzującej silę sprzęŜenia elektron-fonon.s otrzymano dla centrum typu DX w domieszkowanymtellurem potrójnym związku AlGaAs [30]. Natomiast znacznie dłuŜsze czasy τ 1 , powyŜej5−14× 10 s, uzyskano dla głębokich centrów pułapkowych związanych z domieszkami Au orazHg w germanie [39] a takŜe dla kompleksów luka-atom tlenu w germanie [41].62
Page 2 and 3:
Spis treści.1. Wstęp. ...........
Page 4 and 5:
3) Defekt antypołoŜeniowy (antypo
Page 6 and 7:
Rys. 1.1. Model atomowy dwuluki w s
Page 8 and 9:
się od 10 2 do 10 3 cm -2 w najbar
Page 10 and 11:
podsieci Ga (tak dla GaAs, jak rów
Page 12 and 13: W procesie epitaksjalnego wzrostu h
Page 15 and 16: 3kTJeŜeli jest spełniony warunek
Page 17 and 18: JeŜeli koncentracja N d jest stał
Page 19 and 20: ówne zero. Rozpatrujemy wówczas o
Page 21 and 22: półprzewodnika typu n; rys. 2.4.
Page 23 and 24: odbywa się wzrost pojemności zł
Page 25 and 26: temperaturowym skanowaniu sygnału
Page 27 and 28: odwrotności stałej czasowej emisj
Page 29 and 30: Rys. 2.10. Schemat układu pomiarow
Page 31 and 32: gdzieW RW − λ+∆W1∫1W R∫V +
Page 33 and 34: 3. Wpływ pola elektrycznego na emi
Page 35 and 36: pojemności: ∆ C t ) = C'(t ) −
Page 37 and 38: elektryczne działa na wychwycony p
Page 39 and 40: 3.2.2 Mechanizm tunelowania z udzia
Page 41 and 42: PołoŜenia równowagi stanu podsta
Page 43 and 44: diagramie konfiguracyjnym zjonizowa
Page 45 and 46: 4. Wyniki doświadczalne dla defekt
Page 47 and 48: napięciowych (C-V) obliczono warto
Page 49 and 50: Dla wyjaśnienia mechanizmów joniz
Page 51 and 52: charakteryzuje się ujemną energi
Page 53 and 54: natęŜenia pola elektrycznego jest
Page 55 and 56: wyznaczono częstotliwość przesko
Page 57 and 58: τ 2(10 -14 s)2,01,81,6F ⊥ (111)A
Page 59 and 60: Dobre dopasowanie uzyskano dla nat
Page 61: Rys. 4.12. Schematyczna struktura a
Page 65 and 66: wydajność rekombinacji promienist
Page 67 and 68: modyfikuje szybkość wychwytu noś
Page 69 and 70: Rys. 5.2. Schematyczna struktura di
Page 71 and 72: Na podstawie pomiarów efektu Halla
Page 73 and 74: polaryzacji V R = 0 V i impulsu wst
Page 75 and 76: nośników (zgodnie z równaniem (5
Page 77 and 78: Na rysunku 5.9 pokazana jest zaleŜ
Page 79 and 80: Rys. 5.10. Model dyslokacji przenik
Page 81 and 82: 6. Podsumowanie.W niniejszej pracy
Page 83 and 84: Spis literatury.[1] T. Figielski, Z
Page 85 and 86: [54] G. D. Watkins, J. W. Corbett,
show all

Spektroskopia pojemnoÅciowa wybranych defektÃ³w w ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?

Spektroskopia pojemnoÅciowa wybranych defektÃ³w w ...