Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

innej części kryształu GaAs. Jak widać z rys. 4.6 podobny efekt występuje i dla tej próbki dlapola elektrycznego o natęŜeniu ok. 2×10 5 V/cm, tzn. dla F ½ > 450 [V/cm] ½ .10 1 T=240KF ⊥ (100)e n[s -1 ]10 0230K220K400 440 480F 1/2 ([V/cm] 1/2 )Rys. 4.6. ZaleŜności szybkości emisji termicznej od pierwiastka z natęŜenia pola elektrycznegodla róŜnych temperatur dla defektu EL3, zmierzone dla drugiej próbki o orientacji (100).Zaproponowano interpretację tego zjawiska jako wynikającego z reorientacji defektuEL3 wywołanej silnym polem elektrycznym równoległym do kierunku 〈100〉 [53]. Reorientacjataka mogłaby polegać na przeskoku jonu tlenu, wzdłuŜ osi 〈100〉, do sąsiedniego połoŜeniamiędzywęzłowego w sieci krystalicznej, jak pokazano schematycznie na rys. 4.3. PoniewaŜ wsieci krystalicznej GaAs istnieją trzy nierównowaŜne (wzajemnie prostopadłe) kierunki 〈100〉,defekty EL3 rozłoŜone są statystycznie wzdłuŜ tych trzech kierunków. Ponadto defekt taki, jakprzedstawiono na rys. 4.3, nie ma symetrii zwierciadlanej względem płaszczyzny prostopadłejdo osi symetrii defektu. Dlatego teŜ pole elektryczne, przyłoŜone wzdłuŜ jednego, wybranegokierunku 〈100〉 moŜe wywołać reorientację tylko 1/6 obecnych w krysztale defektów.Jednak oba połoŜenia międzywęzłowe pokazane na rys. 4.3 są równowaŜne wnieobecności zewnętrznego pola elektrycznego i jon tlenu moŜe oscylować pomiędzy nimi zczęstotliwością zaleŜną od temperatury i wysokości bariery potencjału, którą musi pokonaćpodczas przeskoku. Bariera ta wynika przede wszystkim z konieczności zerwania wiązańchemicznych atomu tlenu z dwoma atomami Ga przed przeskokiem.Tego typu termicznie aktywowany proces oscylacji zaobserwowano dla analogicznegodefektu występującego w krzemie (tzw. centrum A) na podstawie pomiarów elektronowegorezonansu paramagnetycznego (EPR) pod ciśnieniem jednoosiowym [54]. Z pomiarów tych53