Spektroskopia pojemnoÅciowa wybranych defektÃ³w w ...

More documents

Recommendations

Info

DLTS SIGNAL [arb. units]0.01 ms0.02 ms0.05 ms0.1 ms0.2 ms0.5 ms1 ms2 ms4 ms140 160 180 200 220 240 260 280 300TEMPERATURE [K]Fig. 5.8. ZaleŜność sygnału DLTS od czasu trwania impulsu zapełniającego dla pułapki T3 przyustalonym oknie szybkości 27 s -1 . Widać, Ŝe podczas zwiększania czasu trwania impulsuzapełniającego, którego wartości są pokazane z lewej strony widm DLTS, amplituda sygnałuwyraźnie nasyca się.DLTS SIGNAL [arb. units]12ms2ms0.05ms0.01ms80 90 100 110 120 130 140TEMPERATURE [K]Fig. 5.9. ZaleŜność sygnału DLTS od czasu trwania impulsu zapełniającego dla pułapki T1 przyustalonym oknie szybkości 7.2 s -1 . Wartości czasu trwania impulsu zapełniającego są pokazaneprzy liniach DLTS.75
Na rysunku 5.9 pokazana jest zaleŜność kształtu linii i amplitudy sygnału DLTS od czasutrwania impulsu zapełniającego dla pułapki T1, zmierzonej przy ustalonym oknieszybkości 7.2 s -1 . Na rysunku wyraźnie widać, Ŝe zwiększanie czasu trwania impulsuzapełniającego wywołuje poszerzenie linii DLTS pułapki T1. Maksimum linii DLTS pułapkiprzesuwają się w stronę niŜszych temperatur podczas wzrostu czasu trwania impulsuzapełniającego, natomiast po stronie temperatur wysokich linie DLTS schodzą się. Takiezachowywanie kształtu linii DLTS w zaleŜności od czasu trwania impulsu zapełniającegoświadczy o tym, Ŝe stany elektronowe pułapki T1, związanej z dyslokacjami, naleŜą do klasystanów pasmopodobnych, według klasyfikacji opisanej w rozdz. 5.2.5.6. Dyskusja i wnioski.O pułapce elektronowej T1 dowiedzieliśmy się, Ŝe ma logarytmiczną kinetykę wychwytunośników i Ŝe jej stany elektronowe naleŜą do klasy stanów pasmopodobnych, co pokazuje, Ŝepułapka ta jest najprawdopodobniej związana z elektronowymi stanami rdzenia dyslokacji.Występowanie dyslokacji w heterostrukturze diody laserowej na bazie azotku galu, wytworzonejna podłoŜu GaN z bardzo niską gęstością dyslokacji, jest wynikiem procesów relaksacjinapręŜeń w niedopasowanych sieciowo warstwach AlGaN oraz InGaN zachodzących podczaswzrostu tych warstw. Obecność dyslokacji ujawniono niedawno w heterostrukturach podobnychdiod laserowych hodowanych metodą epitaksji z fazy gazowej z uŜyciem związkówmetaloorganicznych (MOVPE) na podłoŜach GaN w Instytucie Wysokich Ciśnień. Zarównoprzy uŜyciu transmisyjnej mikroskopii elektronowej [79] jak i selektywnego trawieniachemicznego [80] zaobserwowano obecność dyslokacji przenikających o gęstości rzędu 10 5 cm -2w tych strukturach.Prawdopodobnie tę samą pułapkę co T1, nazywaną E1, zaobserwowano niedawno wwidmie DLTS opisanej powyŜej, podobnej do badanej w niniejszej pracy, heterostrukturzehodowanej metodą MOVPE [81]. Wcześniej pułapkę E1 obserwowano techniką DLTS wwarstwach GaN typu n hodowanych metodą MOVPE na szafirze [82, 83]. ZauwaŜono, Ŝe jejkoncentracja rośnie z gęstością krawędziowych dyslokacji przenikających w tych warstwach isugerowano związek pułapek E1 z tymi dyslokacjami. Uzyskane w niniejszej pracy wynikibadań kinetyki wychwytu nośników na pułapkę T1 oraz kształtu jej linii DLTS stanowią silnepotwierdzenie związku pułapki ze stanami elektronowymi rdzenia tych dyslokacji. Na rys. 5.10pokazany jest model dyslokacji przenikającej w GaN, której stany elektronowe – według naszej76
Page 2 and 3:
Spis treści.1. Wstęp. ...........
Page 4 and 5:
3) Defekt antypołoŜeniowy (antypo
Page 6 and 7:
Rys. 1.1. Model atomowy dwuluki w s
Page 8 and 9:
się od 10 2 do 10 3 cm -2 w najbar
Page 10 and 11:
podsieci Ga (tak dla GaAs, jak rów
Page 12 and 13:
W procesie epitaksjalnego wzrostu h
Page 15 and 16:
3kTJeŜeli jest spełniony warunek
Page 17 and 18:
JeŜeli koncentracja N d jest stał
Page 19 and 20:
ówne zero. Rozpatrujemy wówczas o
Page 21 and 22:
półprzewodnika typu n; rys. 2.4.
Page 23 and 24:
odbywa się wzrost pojemności zł
Page 25 and 26: temperaturowym skanowaniu sygnału
Page 27 and 28: odwrotności stałej czasowej emisj
Page 29 and 30: Rys. 2.10. Schemat układu pomiarow
Page 31 and 32: gdzieW RW − λ+∆W1∫1W R∫V +
Page 33 and 34: 3. Wpływ pola elektrycznego na emi
Page 35 and 36: pojemności: ∆ C t ) = C'(t ) −
Page 37 and 38: elektryczne działa na wychwycony p
Page 39 and 40: 3.2.2 Mechanizm tunelowania z udzia
Page 41 and 42: PołoŜenia równowagi stanu podsta
Page 43 and 44: diagramie konfiguracyjnym zjonizowa
Page 45 and 46: 4. Wyniki doświadczalne dla defekt
Page 47 and 48: napięciowych (C-V) obliczono warto
Page 49 and 50: Dla wyjaśnienia mechanizmów joniz
Page 51 and 52: charakteryzuje się ujemną energi
Page 53 and 54: natęŜenia pola elektrycznego jest
Page 55 and 56: wyznaczono częstotliwość przesko
Page 57 and 58: τ 2(10 -14 s)2,01,81,6F ⊥ (111)A
Page 59 and 60: Dobre dopasowanie uzyskano dla nat
Page 61 and 62: Rys. 4.12. Schematyczna struktura a
Page 63 and 64: Zgodnie z zaleŜnością (3.13) sta
Page 65 and 66: wydajność rekombinacji promienist
Page 67 and 68: modyfikuje szybkość wychwytu noś
Page 69 and 70: Rys. 5.2. Schematyczna struktura di
Page 71 and 72: Na podstawie pomiarów efektu Halla
Page 73 and 74: polaryzacji V R = 0 V i impulsu wst
Page 75: nośników (zgodnie z równaniem (5
Page 79 and 80: Rys. 5.10. Model dyslokacji przenik
Page 81 and 82: 6. Podsumowanie.W niniejszej pracy
Page 83 and 84: Spis literatury.[1] T. Figielski, Z
Page 85 and 86: [54] G. D. Watkins, J. W. Corbett,
show all

Spektroskopia pojemnoÅciowa wybranych defektÃ³w w ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?

Spektroskopia pojemnoÅciowa wybranych defektÃ³w w ...