Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

(111)B jest stosunkowo słabe i zostało opisane zgodnie z klasycznym efektem Poole’a-Frenkela. W odróŜnieniu, zwiększenie szybkości emisji termicznej elektronów jestznacznie silniejsze dla wektora pola elektrycznego przyłoŜonego wzdłuŜ kierunków〈110〉 oraz 〈100〉. Dla tych dwóch przypadków otrzymane wyniki wskazują nawystępowanie mechanizmu tunelowania z udziałem fononów. Zasugerowano, Ŝe defektodpowiedzialny za pułapkę EL5 charakteryzuje się symetrią trygonalną o osi symetriiwzdłuŜ kierunku krystalograficznego 〈111〉.• Na podstawie uzyskanych wyników oraz danych z literatury zaproponowanomikroskopową strukturę atomową defektów EL3 oraz EL5. Mikroskopowa strukturadefektu EL3 została określona jako niecentralny („off-centre”) defekt podstawieniowyO As , w którym atom tlenu zastępuje atom arsenu w węźle sieci krystalicznej, ale niepozostaje tam, lecz przesuwa się wzdłuŜ osi 〈100〉 do połoŜenia międzywęzłowego.Zaobserwowaną niemonotoniczną zaleŜność szybkości emisji termicznej od polaelektrycznego skierowanego wzdłuŜ kierunku krystalograficznego 〈100〉 zinterpretowanojako wynik wywołanej silnym polem elektrycznym, moŜliwej reorientacji defektu EL3,w której atom tlenu przeskakuje do sąsiedniego połoŜenia międzywęzłowego. DefektEL5 związano z bliską parą wakansów (dwuluką) V As –V Ga .• W badaniach techniką DLTS heterostruktury diody laserowej na bazie GaN znalezionotrzy głębokie pułapki nośników większościowych oznaczone jako T1, T2 oraz T3,obserwowane w warunkach polaryzacji diody w kierunku zaporowym oraz pułapkęnośników mniejszościowych T4, ujawnioną w warunkach impulsu wstrzykującego wkierunku przewodzenia. Pułapki nośników większościowych obserwowano w widmieDLTS mierzonym w róŜnych zakresach napięcia zaporowego, co pokazuje, Ŝe pułapki teznajdują się w róŜnych obszarach diody laserowej. Pułapki elektronowe T1 i T2umiejscowiono w obszarze typu n a pułapkę dziurową T3 – w obszarze typu p diodylaserowej.• Znalezione pułapki wykazują róŜne kinetyki wychwytu nośników ładunku. Pułapka T1charakteryzuje się logarytmiczną kinetyką wychwytu nośników i jej stany elektronowenaleŜą do klasy stanów pasmopodobnych, co sugeruje, Ŝe pułapka ta jestnajprawdopodobniej związana z elektronowymi stanami rdzenia dyslokacji. Natomiastdwie inne pułapki, T2 i T3, wykazujące eksponencjalną kinetykę wychwytu, związano zrodzimymi defektami punktowymi: odpowiednio, antypołoŜeniowym azotem N Ga orazluką azotową V N .81