Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

nośników. Jak widać z rys. 2.9 (b) czas martwy tGjest równy:t + t , gdzie t d jest czasempdopóźnienia. Długość czasu opóźnienia t d jest proporcjonalna do czasu powtarzania t 0 i wynosi:t d= 0.05t(2.27)W opisywanej metodzie sygnał DLTS, S DLTS, otrzymywany jest dzięki skorelowaniuniestacjonarnego sygnału zmian pojemności złącza w funkcji czasu ∆C(t) i funkcji wagowej w(t)z impulsowym sygnałem odniesienia (impulsem zapełniającym). Sygnał DLTS moŜna opisaćrównaniem:SDLTS1=t0t0+ td∫td0∆C(t)w(t)dt , (2.28)gdzie w(t) - funkcja wagowa, jest przedstawiona na rys. 2.9 (c) i wyraŜa się:⎧⎪1dla tw(t)= ⎨⎪−1dla⎩d< t ≤12( td12+ t( t0 )d+ t )o< t ≤ td+ t0⎫⎪⎬. (2.29)⎪⎭Szybkość emisji nośników ładunku w temperaturze odpowiadającej ekstremum sygnału DLTSwyraŜa się zaleŜnością:e n p== −1( )τ Bf , (2.30)w której: f = 1/t0jest częstotliwość powtarzania impulsów zapełniających, B - stała zaleŜna odprzesunięcia fazowego pomiędzy niestacjonarnym sygnałem pojemnościowym a sygnałemimpulsu zapełniającego. W przypadku stosowanego w niniejszej pracy spektrometru SemiTRAPDLS-82E stała B równa jest 2.17.2.5. Opis układu pomiarowego DLTS.Do badania głębokich centrów defektowych stosowano układ pomiarowy DLTS,zbudowany z czterech głównych bloków funkcjonalnych:1. Spektrometr DLTS typu DLS-82E2. Komputerowy układ wizualizacji i obliczeń3. Układ kriogeniczny4. Oscyloskop analogowyKompletny układ pomiarowy ilustruje rys. 2.10.27