Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

2. Niestacjonarna spektroskopia głębokich poziomów (DLTS).Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS), nazywana po polsku równieŜ niestacjonarnąspektroskopią pojemnościowa, jest szeroko stosowaną, wszechstronną metodą badania głębokichpoziomów energetycznych defektów i domieszek znajdujących się w obszarze ładunkuprzestrzennego półprzewodnikowego złącza p-n lub złącza metal-półprzewodnik. Polega ona napomiarze relaksacyjnych zmian pojemności złącza wywołanych termiczną emisją nośnikówładunku z tych centrów. W przedstawionej pracy do pomiarów DLTS wykorzystano zarównozłącze p-n jak i diodę Schottky’ego (złącze metal-półprzewodnik).2.1. Właściwości idealnego obszaru ładunku przestrzennego.Istnienie obszaru ładunku przestrzennego w złączach p-n lub barierach Schottky’ego jestjedną z podstawowych właściwości półprzewodników [16]. Na rys. 2.1 jest przedstawionyidealny (bezpułapkowy) obszar ładunku przestrzennego asymetrycznego złącza p + -n. W dalszymciągu tego rozdziału będzie rozpatrywane, dla uproszczenia, złącze p + -n lub barieraSchottky’ego (metal- półprzewodnik typu n) (dla którego rys. 2.1 jest równieŜ odpowiedni).Rys. 2.1. Idealne złącze p + -n (bądź złącze metal-półprzewodnik typu n) przy zerowym napięciu:(a) rozkład ładunku przestrzennego, (b) rozkład pola elektrycznego, (c) schemat pasmowyzłącza; według [16].12