Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

3.2.2 Mechanizm tunelowania z udziałem fononów.Energia wiązania głębokich centrów defektowych jest znacznie większa od wielkościśredniej energii fononów, i dlatego wystąpienie emisji termicznej moŜliwe jest tylko dziękiprocesom wielofononowym. PoniewaŜ przejścia elektronowe odbywają się znacznie szybciej niŜprzejścia w układzie fononowym, dla opisu oddziaływania elektron-fonon moŜna wykorzystaćprzybliŜenie adiabatyczne [33].Rozpatrujemy najprostszy przypadek, kiedy głęboki defekt ma jeden stan związany.PołoŜenie głębokiego poziomu określa potencjał wprowadzany przez ten defekt oraz istotniezaleŜy ono od odległości defektu do sąsiednich atomów. W ten sposób drgania defektu i siecikrystalicznej modulują połoŜenie poziomu elektronowego tak, jak schematycznie pokazano narys. 3.4.Rys. 3.4. Modulacja połoŜenia głębokiego poziomu elektronowego podczas drgań defektu orazsieci krystalicznej. (a) - elektron związany na defekcie, kiedy układ drgań defektu jest w stanierównowagi; (b) - układ drgań defektu jest wzbudzony, poziom elektronowy dochodzi dopoziomu elektronu swobodnego.W przypadku silnych drgań cieplnych poziom elektronowy w końcu moŜe dojść do poziomuwidma ciągłego (elektronu swobodnego), co prowadzi do jonizacji defektu [34]. Do rozwaŜańilościowych zwykle uŜywa się modelu z jednym modem drgań, który opisuje drgania defektupoprzez zmianę jednej współrzędnej konfiguracyjnej x. To przybliŜenie jest na ogół spełnione,poniewaŜ główną rolę przy jonizacji głębokich centrów defektowych, oraz wychwytu na nie,38