10.07.2015 Views

Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

stanowi podstawowemu do konfiguracji, która odpowiada defektowi zjonizowanemu; rys. 3.5.Ze wzrostem wartości energii E szerokość bariery tunelowej, która rozdziela potencjały U 1 i U 2(przyx < xc), zmniejsza się, a zatem prawdopodobieństwo tunelowania rośnie. Z drugiej strony,prawdopodobieństwo obsadzenia poziomu o energii41ε E zmniejsza się ze wzrostem Eproporcjonalnie do exp( − E / kT ) . W ten sposób dla kaŜdej temperatury istnieje energiaoptymalna E = E0, przy której prawdopodobieństwo tunelowania jest maksymalne [36]; rys. 3.5.W obszernej pracy [33] przedstawiono analizę procesu tunelowania z udziałem fononóww przybliŜeniu półklasycznym. W tym przybliŜeniu elektron ma dobrze określoną trajektorięnawet pod barierą potencjału, kiedy jego energia kinetyczna jest ujemna. Trajektorię tunelowaniamoŜna podzielić na dwie części: 1) pod potencjałem U 1 od punktu a 1 do punktu x c , gdziepotencjały adiabatyczne przecinają się; 2) pod potencjałem U 2 od x c do a 2 ; rys. 3.5. Trajektoriomtym odpowiadają dwa czasy tunelowania τ1i τ2, które zdefiniowano następująco [33]:x cT+M dxτi= ∫, i = 1, 2. (3.10)2 U ( x)− Eaii0Całkowity czas tunelowania τtmiędzy punktami a 1 i a 2 moŜna określić jako róŜnicęczasów τ2i τ1. ZaleŜy on silnie od temperatury ze względu na zaleŜność E 0 odtemperatury [33]:hτt= τ2−τ1= . (3.11)2kTPoniewaŜ energia E 0 jest zwykle znacznie mniejsza od εT, czas τ1moŜe być obliczony przyzałoŜeniu E 0 = 0 we wzorze (3.10) i nie zaleŜy on wówczas od temperatury:x cM dxτ1=2∫U ((3.12)1xa )1Podstawiając zaleŜność (3.8) do (3.12) otrzymamy następujące wyraŜenie:ετ = 1T1ln , (3.13)2ω∆εz którego widać, Ŝe τ1jest stałą czasową związaną z okresem lokalnych drgań własnych defektu.Natomiast równanie (3.11) określa zaleŜność temperaturową czasu tunelowania τ2.Rozpatrzmy teraz wielofononową tunelową jonizację defektu w obecności zewnętrznegopola elektrycznego F. Jak pokazano wcześniej, pole elektryczne zmienia kształt studnipotencjału elektronu związanego na defekcie; rys. 3.3 (b). Elektron ten moŜe tunelować przezbarierę potencjału poniŜej jej wierzchołka przy ujemnej wartości energii kinetycznej− εF. Na

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!