Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

τ 2(10 -14 s)1,81,61,4F ⊥ (110)F ⊥ (100)1,25,0 5,5 6,0 6,51000/T (K -1 )Rys. 4.11. Czasy tunelowania τ , wyznaczone z natęŜenia pola charakterystycznego F2c , wfunkcji odwrotności temperatury dla defektu EL5. Linie przerywane odpowiadają wyraŜeniuτ = τ + α / 2kT dopasowanemu do wyników eksperymentalnych.2 1hWyniki przedstawione na rys. 4.9 i 4.10 wskazują, Ŝe defekt odpowiedzialny za pułapkęEL5 charakteryzuje się symetrią trygonalną o osi symetrii wzdłuŜ kierunku krystalograficznego〈111〉. Dla wektora pola elektrycznego skierowanego wzdłuŜ tego kierunku, wywołane polemzwiększenie szybkości emisji termicznej elektronów z defektu jest najsłabsze i zachodzi zgodniez klasycznym efektem Poole’a-Frenkela. Biorąc pod uwagę opisaną powyŜej symetriętrygonalną defektu oraz wcześniejsze wyniki dostępne w literaturze zaproponowano dwulukę,V As –V Ga , przedstawioną schematycznie na rys. 4.12, jako odpowiedzialną za defekt EL5 [56].Taki model defektu EL5 jest zgodny z wnioskami z wcześniejszych badań zaleŜnościkoncentracji głębokich centrów defektowych w kryształach GaAs otrzymanych metodąCzochralskiego od stechiometrii roztopu [57] oraz badań transformacji defektów w GaAs podwpływem drgań ultradźwiękowych o duŜym natęŜeniu [46] a takŜe najnowszych wyników badańDLTS kryształów GaAs poddanych implantacji wodorem [58]. Zgodnie z obliczeniamiteoretycznymi „z pierwszych zasad” [59] dwuluka V As -V Ga jest stabilnym defektem w GaAs osilnym wiązaniu kowalencyjnym i stosunkowo małej energii tworzenia, szczególnie w krysztaletypu n. Obliczenia te przewidują równieŜ silną relaksację sieci krystalicznej wokół defektu.59