Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

zaburzenie, takie jak np. pole elektryczne lub ciśnienie jednoosiowe, przyłoŜone wzdłuŜwybranego kierunku krystalograficznego sieci kubicznej GaAs częściowo znosi tę degenerację.Powoduje to rozczepienie właściwości defektów o róŜnej orientacji względem wybranegokierunku. Szczegółowa analiza zjawisk wynikających ze zniesienia degeneracji orientacyjnej dlaróŜnych niekubicznych centrów w kryształach kubicznych, opracowana przy uŜyciu teorii grup,przedstawiona jest np. w pracy [61]. Lecz nawet prosta analiza geometryczna pokazuje, jakpowinna rozczepiać się np. linia DLTS pod wpływem zaburzenia jednoosiowego.Tak, na przykład, defekt EL3, który charakteryzuje się lokalną symetrią rombową C 2V ,jest sześciokrotnie zdegenerowany (są trzy równowaŜne kierunki 〈100〉 i kaŜdy ma dwaprzeciwne zwroty) w warunkach nieobecności zewnętrznego zaburzenia. Natomiast defekt EL5o symetrii trygonalnej ma degeneracje czterokrotną (są cztery równowaŜne kierunki 〈111〉 wsieci kubicznej GaAs). W obecności pola elektrycznego przyłoŜonego wzdłuŜ kierunkówkrystalograficznych 〈100〉 oraz 〈110〉 linia DLTS dla defektu EL3 powinna się rozczepić na dwieo amplitudach sygnału w stosunku 1:2. Natomiast przy przyłoŜeniu pola elektrycznego wzdłuŜkierunku 〈111〉 tego rozczepienia nie naleŜy się spodziewać (wynika to z obliczeń kąta międzykierunkami 〈100〉 a 〈111〉, który dla wszystkich kierunków równowaŜnych jest taki sam). Dladefektu EL5 o symetrii trygonalnej przy zewnętrznym zaburzeniu wzdłuŜ kierunkukrystalograficznego 〈100〉 równieŜ nie naleŜy się spodziewać rozczepienia. Natomiast dla polaelektrycznego przyłoŜonego wzdłuŜ kierunków 〈110〉 oraz 〈111〉 powinno się zaobserwowaćrozszczepienie na dwie linie o stosunku amplitud, odpowiednio, 2:2 oraz 3:1. W niniejszej pracytych rozszczepień nie widać, prawdopodobnie dlatego, Ŝe w standardowej metodzie DLTS liniesą zbyt szerokie. Natomiast obserwowane przesunięcie maksimum linii DLTS w funkcjinatęŜenia pola elektrycznego jest w rzeczywistości przesunięciem „środka cięŜkości” sumyrozszczepionych linii. W literaturze nie ma prawdopodobnie Ŝadnych prac, w których byłybydoniesienia o obserwacji rozszczepienia linii DLTS w silnym polu elektrycznym. W pracy [42]autor obserwuje jedynie rozczepienie linii DLTS od defektu typu DX w InGaP ze wzrostemnatęŜenia pola elektrycznego. Wywołane silnym polem elektrycznym rozszczepienie linii DLTSna pewno łatwej moŜna by było zaobserwować przy zastosowaniu metody Laplace DLTS [62],w której dzięki numerycznej obróbce sygnału uzyskano znaczne zwiększenie rozdzielczościenergetycznej pomiaru widma DLTS. Jednak, jak dotąd, nie ma prawdopodobnie w literaturzedoniesień o takich wynikach.Małe wartości stałych czasowych τ 1 , poniŜej 10 -14 s, otrzymane dla obu defektów EL3oraz EL5, wskazują na silne sprzęŜenie defektów z modami wibracyjnymi sieci krystalicznej.61