Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

interpretacji – mogą być odpowiedzialne za pułapkę T1 w przerwie wzbronionejpółprzewodnika.O pułapkach T2, T3 oraz T4 dowiedzieliśmy się, Ŝe są związane z defektamipunktowymi, o czym świadczą: nasycenie amplitudy sygnału DLTS podczas zwiększania czasuimpulsu zapełniającego oraz eksponencjalna kinetyka wychwytu nośników. Jednak tylko jedna ztych pułapek, pułapka T2, opisana jest w literaturze. Według róŜnych danych literaturowychuzyskanych z pomiarów DLTS, energia aktywacji emisji termicznej nośników z tej pułapkimieści się w przedziałach E c − 0.50÷0.62 eV (energia aktywacji dla pułapki T2 z wynikówpomiarowych wynosiła E c − 0.60 eV) a pułapka oznaczana jest jako B2, D2 lub E2. Pułapka tajest często najsilniejszą pułapką elektronową obserwowaną w widmach DLTS w GaN typu n.Hacke i współpracownicy [84] oraz Haase i współpracownicy [85] związali tę pułapkę zpunktowym defektem antypołoŜeniowym (antypodstawieniowym) N Ga , na podstawie wynikówobliczeń teoretycznych w przybliŜeniu ciasnego wiązania wyznaczających połoŜenie głębokiegopoziomu donorowego defektu N Ga w przerwie wzbronionej GaN na: E c − 0.54 eV [86]. Napodstawie wyników otrzymanych przez Chunga i współpracowników [87] oraz Cho iwspółpracowników [83] pokazano, Ŝe koncentracja tej pułapki moŜe być efektywniezmniejszona przez domieszkowanie indem, co potwierdza powyŜszą interpretację, poniewaŜatomy In podstawiające miejsca sieciowe Ga w sieci krystalicznej GaN prowadzą dozmniejszenia koncentracji defektów okupujących luki galowe. Niedawno, ta sama pułapkazostała równieŜ zaobserwowana jako dominująca głęboka pułapka w widmie DLTSheterostruktury diody laserowej hodowanej metodą MOVPE [81]. Jednak z pomiarów DLTSprzedstawionych w niniejszej pracy wynika, Ŝe koncentracja pułapki T2 jest najmniejsza zujawnionych w pomiarach. Przyczyną tego mogą być warunki nadmiaru Ga zastosowane dlauzyskania wysokiej jakości warstw heterostruktury diody laserowej na bazie GaN hodowanejmetodą PAMBE. Przypuszczamy [88], Ŝe właśnie takie warunki wzrostu prowadzą dozmniejszenia koncentracji luk galowych w sieci krystalicznej, które są niezbędne do tworzeniaantypołoŜeniowych defektów azotowych N Ga , podczas wzrostu struktury i w konsekwencji −małej koncentracji pułapki T2.77