Spektroskopia pojemnościowa wybranych defektów w ...

modyfikuje szybkość wychwytu nośników; (3) szybkością redystrybucji ładunku w paśmiedefektowym R i (tzn. szybkością, z którą stany defektowe osiągną stan równowagi wewnętrznejw energetycznym paśmie defektowym); rys. 5.1.Biorąc pod uwagę szybkość redystrybucji ładunku R i autorzy [75, 76] pokazali, Ŝe stanyelektronowe defektów rozciągłych mogą być zaklasyfikowane jako zlokalizowane bądźpasmopodobne (ang.: „lokalized” bądź „band-like”). RóŜnica między stanami zlokalizowanymi ipasmopodobnymi została określona poprzez porównanie szybkości redystrybucji ładunku R i zszybkością emisji nośników R e oraz szybkością wychwytu nośników R c . Kiedy R i > R e , R c , to stanyokreślono jako pasmopodobne. Autorzy prac [63, 75, 76] pokazali równieŜ, za pomocą symulacjikomputerowej widm DLTS, Ŝe te dwa rodzaje stanów mogą być rozróŜniane na podstawiepomiarów zmian połoŜenia maksimum linii DLTS oraz jej kształtu ze wzrostem czasu trwaniaimpulsu zapełniającego t p w eksperymencie DLTS.Rys. 5.1. Struktura pasmowa stanów elektronowych defektu rozciągłego, według [75]. Barierana wychwyt δE C , szybkość redystrybucji ładunku w paśmie defektowym R i , szybkości emisjioraz wychwytu nośników, R e i R c , pokazane są na rysunku.Dla stanów zlokalizowanych, ze wzrostem czasu trwania impulsu zapełniającegomaksimum linii DLTS nie przesuwa się na osi temperatury. Jego połoŜenie jest określone przezśrednią energię pasma defektowego w przerwie wzbronionej. W odróŜnieniu, dla stanów66