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Rasterkraftmikroskopische Untersuchungen an nativen biologischen ...

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GRUNDLAGEN UND METHODEN<br />

1 Rasterkraftmikroskopie<br />

k<strong>an</strong>n (Abb. 2, 4). Dieser Effekt ist abhängig von der Rasterungsgeschwindigkeit. Will m<strong>an</strong> ihn<br />

ähnlich gering halten wie bei der Abbildung von Proteinkristallen (Zeilenfrequenz der Größenordnung<br />

5-10 Hz), kommt m<strong>an</strong> bei dem kleineren Rasterungsbereich bei atomarer Auflösung schnell<br />

in Größenordnungen über 50 Hz für die Zeilenfrequenz, was unter Umständen bereits Artefakte<br />

(Oszillationen) zur Folge haben k<strong>an</strong>n.<br />

1.2.2 Eichst<strong>an</strong>dards für axiale Kalibration<br />

Neben speziellen Halbleiter-Eichst<strong>an</strong>dards mit Stufenhöhen von 25 bis 500 nm (z. B. von Silicon-<br />

MDT) stehen atomare Stufen (bzw. deren Vielfache) von Glimmer (1,0 nm) und Überg<strong>an</strong>gsmetalldichalkogeniden<br />

(Abb. 5, 6) zur Verfügung. Beim Spalten der Schichtkristalle erhält m<strong>an</strong> atomar<br />

glatte v<strong>an</strong>-der-Waals-Oberflächen mit gelegentlichen atomaren Stufen.<br />

Korrosionsdefekte auf Kristallen von Überg<strong>an</strong>gsmetalldichalkogeniden eignen sich sehr gut für<br />

die vertikale Kalibration des Sc<strong>an</strong>ners (z. B. MoTe 2 , Müller und Engel, 1997). Misst m<strong>an</strong> auf<br />

diesen Oberflächen in Elektrolytlösung, so zeigen sich nach Stunden Defekte wachsenden Ausmaßes,<br />

die Stufen einer oder weniger Kristall-Schichtdicken bilden. Bei den drei hier verwendeten<br />

Subst<strong>an</strong>zen (ReSe 2 , WSe 2 , WTe 2 ) zeigte sich dieser Korrosionseffekt in Elektrolytlösung nur<br />

bei WTe 2 (Abb. 5). Dies ist dadurch zu erklären, dass sowohl WTe 2 als auch MoTe 2 von ihren<br />

elektronischen Eigenschaften her metallischer Natur sind, während ReSe 2 und WSe 2 Halbleiter-<br />

Eigenschaften aufweisen (Parkinson in Colton et al., 1998).<br />

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