originale Druckvorlage - DPG-Tagungen
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Teilchenphysik Dienstag<br />
T 301.3 Di 16:30 RW 3<br />
Hybridisierung des ATLAS Pixel Sensors — •Jens Weber,<br />
Claus Gößling, Jonas Klaiber-Lodewigs, Reiner Klingenberg<br />
und Jerzy Kudlaty für die ATLAS Pixel-Kollaboration —<br />
Universität Dortmund, Experimentelle Physik IV, 44221 Dortmund<br />
Die innerste Lage des ATLAS-Detektors wird der Silizium-Pixel-<br />
Detektor sein. Die kleinste Ausleseeinheit ist das etwa 2 × 6 cm 2 große<br />
Modul. Es besteht aus einem Sensor, 16 FE-Chips, einem Hybridflex<br />
und einem Module Control Chip.<br />
Die 47000 Pixel des Sensors werden mittels des Flip-Chip-Verfahrens<br />
mit den Elektronikchips verbunden. Der Produktionsablauf beinhaltet<br />
das Auftragen einer Metallisierungsschicht auf das Auslesepad des Pixels,<br />
das Heraussägen des Sensors und den eigentlichen Verbindungsschritt in<br />
einem Reflow-Prozess.<br />
Systematische Messverfahren vor, während und nach diesen Produktionsschritten<br />
ermöglichen eine Qualitätskontrolle des Hybridisierungsprozesses.<br />
Zentrales Element sind dabei Strom-Spannungs-Kennlinien des<br />
Sensors und einzelner Pixel.<br />
T 301.4 Di 16:45 RW 3<br />
System Tests für den ATLAS Pixeldetektor — •Fabian<br />
Hügging, Wolfgang Dietsche, Andreas Eyring, Jörn Große-<br />
Knetter, Markus Mathes, Walter Ockenfels, Ögmundur<br />
Runolfsson, Tobias Stockmanns und Norbert Wermes —<br />
Physikalisches Institut, Nußallee 12, Universität Bonn<br />
Die grundlegende Einheit des ATLAS Pixel Detektors ist ein Modul<br />
bestehend aus einem 2 · 6 cm 2 großen n-auf-n Siliziumsensor mit 46080<br />
Pixelzellen durch sog. Bumps verbunden mit 16 Auslesechips. Diese Module<br />
werden zu je 13 bzw. 6 auf eine Karbon-Struktur geklebt, aus denen<br />
die Zylinder- bzw. Scheibenlagen des Pixeldetektors aufgebaut werden.<br />
Die kompletten elektrischen Verbindungen der Module zur Außenwelt geschieht<br />
über ein Pigtail und speziell entwickelte Aluminium-Mikrokabel<br />
die an den Supportstrukturen befestigt werden müssen. Dagegen sind alle<br />
nicht-elektrischen Komponenten wie insbesondere die Kühlung integraler<br />
Bestandteil dieser Supportstruktur. Insofern sind sie also die kleinste<br />
komplett funktionstüchtige Detektoreinheit des ATLAS Pixeldetektors.<br />
Das Konzept der gesamten Versorgung des ATLAS Pixel Systems<br />
bis zum Kontrolraum bestehend aus elektrischer Spannungszuführung,<br />
Kühlung, Verbindungen zu einem Detektorkontroll- und Monitorsystem<br />
sowie die elektrische und optische Signalübertragung wird am Beispiel der<br />
Zylinder-Supportstrukturen (Stave) erläutert. Erste Staves mit mehreren<br />
Modulen sind bereits produziert worden und Erfahrungen und Resultate<br />
beim Betrieb dieser Systeme unter realistischen Bedingungen werden<br />
diskutiert.<br />
T 301.5 Di 17:00 RW 3<br />
Messungen zur Qualitätskontrolle an Chips und Modulen für<br />
den ATLAS Pixel Detektor — •Markus Mathes, Siegfried<br />
Gross, Jörn Grosse-Knetter, Fabian Hügging, Tobias Stockmanns<br />
und Norbert Wermes für die ATLAS-Kollaboration — Physikalisches<br />
Institut, Universität Bonn, Nußallee 12, 53115 Bonn<br />
Der ATLAS Pixel Detektor setzt sich aus 2 × 6 cm 2 großen Modulen<br />
zusammen, welche ihrerseits aus einem Siliziumsensor und 16 FE-Chips<br />
zur Auslese der 46080 Pixelzellen bestehen. Die FE-Chips sind dabei über<br />
sogenannte Bump-Bonds mit dem Sensor verbunden.<br />
Um eine volle Funktionalität der aufgebauten Module sicherzustellen<br />
werden die FE-Chips im Laufe der Produktion mehrfach getestet: auf<br />
dem Wafer, als Einzelchips nach dem Sägen, und nach dem Aufbringen<br />
auf den Sensor mittels Bump-Bonds. Desweiteren wird das Modul<br />
nach seinem vollständigem Aufbau auf weitere Fehler wie z.B. fehlende<br />
Bump-Bonds getestet. Der hierfür verwendete Meßaufbau und Beispiele<br />
von Messungen an Chips und Modulen werden vorgestellt.<br />
T 301.6 Di 17:15 RW 3<br />
Alternative Spannungsversorgungen für Pixeldetektoren in<br />
DSM-Technologie — •Tobias Stockmanns 1 , Peter Fischer 2 ,<br />
Fabian Hügging 1 , Ivan Peric 1 , Oegmundur Runolfsson 1 und<br />
Norbert Wermes 1 — 1 Physikalisches Institut, Universität Bonn —<br />
2 Institut für Technische Informatik, Universität Mannheim<br />
Teilchendetektoren der nächsten Generation setzen für die Auslese ihrer<br />
Pixeldetektoren ASICs in 0,25 µm-Technologien (Deep Sub Micron)<br />
ein. Die nominelle Versorgungsspannung dieser ASICs liegt bei 2,0 V -<br />
2,5 V bei einem hohen Stromverbrauch, der notwendig ist um die geforderte<br />
Nachweisgeschwindigkeit zu erreichen. Bei fast allen Teilchenexperimenten<br />
erfolgt die Spannungsversorgung der einzelnen Module über<br />
eine parallel Zuführung der Versorgungsspannungen, bei der ein Modul<br />
mit einem Netzteil verbunden wird (parallel powering). Typischerweise<br />
befinden sich die Netzteile ausserhalb des Detektors, was zu grossen<br />
Entfernungen zwischen Modulen und Netzteil führen kann. Parallel powering<br />
birgt durch die Kombination von niedrigen Versorgungsspannungen<br />
mit hohen Strömen und langen Versorgungsleitungen eine Reihe von<br />
technischen Schwierigkeiten, die durch ein eingeschränktes Materialbudget<br />
innerhalb des aktiven Volumens noch weiter verschärft werden. Eine<br />
Alternative zur parallelen Versorgung einzelner Module besteht in der<br />
Hitereinanderschaltung einer Anzahl von Modulen in einer Versorgungskette,<br />
die gemeinsam über einen konstanten Strom versorgt werden (serial<br />
powering). In dem Vortrag werden die Vor- und Nachteile der beiden<br />
Technologien am Beispiel des ATLAS-Pixeldetektors vorgestellt und die<br />
Fortschritte bei der Umsetzung von ”‘serial powering”’ präsentiert.<br />
T 301.7 Di 17:30 RW 3<br />
Results on the electrical performance of ATLAS SCT end-cap<br />
modules — •Maxim Titov — Institute of Physics, Freiburg University<br />
The Semiconductor tracker (SCT) of the ATLAS experiment at the<br />
Large Hadron Collider (LHC) at CERN will be composed of about 4000<br />
detector modules made of single-sided p-on-n silicon micro-strip sensors.<br />
The inner modules of the end-cap part of the SCT will consist of two sensors<br />
glued back to back, with a 40 mrad stereo angle, on a carbon support<br />
structure. The modules will be read out in binary mode by twelve custom<br />
made ABCD readout chips mounted on a double-sided hybrid, produced<br />
from a six layer copper/kapton flex. At the University of Freiburg about<br />
250 SCT end-cap inner modules will be produced. In the talk results on<br />
the construction experience and on the electrical performance of fully<br />
assembled modules are reported. In addition, major quality control steps<br />
required during the large system manufacturing, are discussed.<br />
T 301.8 Di 17:45 RW 3<br />
Tests of the Readout Electronics for the HERMES Silicon Recoil<br />
Detector — •Hristova Ivana for the HERMES collaboration —<br />
DESY Zeuthen, Platanenallee 6, D-15738 Zeuthen<br />
Generalised Parton Distributions (GPDs) are opening a new route to<br />
understand the inner structure of nucleons. They can in principle be accessed<br />
in deeply-virtual Compton scattering (DVCS) in which a lepton<br />
scatters in a hard exclusive process from a nucleon target producing a<br />
high-energy real photon plus a recoiling nucleon. The developement of a<br />
recoil detector will optimise the HERMES experiment for measurements<br />
of the DVCS process and similar exclusive processes by detecting low momentum<br />
recoil protons which were not registered before. The Silicon part<br />
of the Recoil Detector consists of eight modules arranged in a double layer<br />
square tube around the target cell. Each module has two double-sided<br />
silicon strip detectors. The silicon detector uses the energy deposition of<br />
recoil protons to determine their momentum and also provides a tool for<br />
particle identification and track reconstruction. This presentation is focussing<br />
on the design and the laboratory tests of the readout electronics.