12005/07 ADD 1 us DG E CONSIGLIO DELL'UNIONE ... - Senato.it
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TAVOLA - METODI DI DEPOSIZIONE - NOTE TECNICHE<br />
Processi specificati nella colonna 1 della tavola - (segue):<br />
b. 4. la deposizione ad arco catodico impiega un catodo consumabile di materiale cost<strong>it</strong>uente il rivestimento<br />
che emette una scarica ad arco sulla superficie innescata da un contatto momentaneo con la massa. I<br />
movimenti controllati della formazione dell'arco attaccano la superficie del catodo creando un plasma<br />
fortemente ionizzato. L'anodo può essere sia un cono fissato sull'estrem<strong>it</strong>à del catodo tram<strong>it</strong>e un isolatore<br />
sia la camera stessa. La polarizzazione del substrato è <strong>us</strong>ata per la deposizione fuori della portata visiva.<br />
NB: questa definizione non comprende la deposizione casuale ad arco catodico con substrati non<br />
polarizzati.<br />
5. la placcatura ionica è una variante particolare di un processo generale di deposizione fisica in fase di<br />
vapore per evaporazione termica (TE-PVD) per cui una sorgente di ioni o un plasma sono utilizzati per<br />
ionizzare il materiale da depos<strong>it</strong>are; una polarizzazione negativa viene applicata al substrato per facil<strong>it</strong>are<br />
l'estrazione del materiale dal plasma. L'introduzione di materiali reagenti, l'evaporazione di solidi<br />
all'interno della camera di trattamento e l'impiego di strumenti di controllo per misurare nel corso del<br />
processo le caratteristiche ottiche e lo spessore dei rivestimenti sono varianti ordinarie di questo processo.<br />
c. La cementazione in cassetta è un processo di rivestimento con modifica della superficie o un processo di<br />
rivestimento per ricopertura per cui un substrato viene immerso in una miscela di polveri (cassetta)<br />
comprendente:<br />
1. le polveri metalliche che devono essere depos<strong>it</strong>ate (generalmente alluminio, cromo, silicio o loro<br />
combinazioni);<br />
2. un attivatore (generalmente un sale alogenuro) e<br />
3. una polvere inerte, più frequentemente allumina.<br />
Il substrato e la miscela di polveri sono posti in una storta portata ad una temperatura compresa tra 1.030 K<br />
(757 °C) e 1.375 K (1.102 °C) per un tempo sufficiente a permettere la deposizione del rivestimento.<br />
d. La polverizzazione a plasma è un processo di rivestimento per ricopertura per cui un cannone (torcia di<br />
vaporizzazione) che produce e controlla un plasma, riceve materiali di rivestimento sotto forma di polvere o filo,<br />
li fa fondere e li proietta su un substrato sul quale si forma un rivestimento integralmente aderente. La<br />
polverizzazione a plasma può essere una polverizzazione a bassa pressione o una polverizzazione a grande<br />
veloc<strong>it</strong>à.<br />
NB:1: per bassa pressione si intende una pressione inferiore alla pressione atmosferica ambiente.<br />
NB:2: per grande veloc<strong>it</strong>à si intende una veloc<strong>it</strong>à del gas in <strong>us</strong>c<strong>it</strong>a dalla torcia superiore a 750 m/s<br />
calcolata a 293 K (20 °C) e ad una pressione di 0,1 MPa.<br />
e. La deposizione ad impasto liquido è un processo di rivestimento con modifica della superficie o un processo di<br />
rivestimento per ricopertura per cui una polvere di metallo o di ceramica, associata ad un legante organico e in<br />
sospensione in un liquido, viene applicata su un substrato tram<strong>it</strong>e spruzzatura, immersione o verniciatura.<br />
L'assieme viene essiccato in aria o in forno e poi sottoposto ad un trattamento termico per ottenere il<br />
rivestimento desiderato.<br />
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ALLEGATO I IT