12005/07 ADD 1 us DG E CONSIGLIO DELL'UNIONE ... - Senato.it

3C Materiali
3C001 Materiali etero-epitassiali consistenti di un "substrato" con strati multipli sovrapposti ottenuti per crescita
epitassiale di uno degli elementi seguenti;
a. silicio,
b. germanio
c. carburo di silicio o
d. composti III/V di gallio o di indio.
Nota tecnica:
i composti III/V sono prodotti policristallini o monocristallini binari o complessi costituiti di
elementi dei gruppi IIIA e VA della tavola di classificazione periodica di Mendeleyev
(per es. arseniuro di gallio, arseniuro di gallio-alluminio, fosfuro di indio).
3C002 Resine fotosensibili (resist) come segue, e "substrati" rivestiti di resine fotosensibili sottoposte ad
autorizzazione:
a. resine fotosensibili (resist) positive progettate per litografia di semiconduttori appositamente
adattate (ottimizzate) per l'impiego con lunghezze d'onda inferiori a 245 nm;
b. tutte le resine fotosensibili (resist) progettate per essere utilizzate sotto l'effetto di fasci elettronici
o ionici, aventi sensibilità di 0,01 microcoulomb/mm 2 o migliore;
c. tutte le resine fotosensibili (resist) progettate per essere utilizzate sotto l'effetto di raggi X, aventi
sensibilità di 2,5 mJ/mm 2 o migliore;
d. tutte le resine fotosensibili (resist) ottimizzate per tecnologie di formazione di immagini di
superficie, comprese le resine fotosensibili a 'sililazione'.
Nota tecnica:
le tecniche di 'sililazione' sono processi che comportano l'ossidazione della superficie della resina
fotosensibile per migliorare le prestazioni di sviluppo sia umido che a secco.
3C003 Composti organici-inorganici come segue:
a. composti metallo-organici di alluminio, gallio o indio aventi una purezza (purezza del metallo)
superiore al 99,999%;
b. composti organici di arsenico, antimonio e fosforo aventi una purezza (purezza dell'elemento
inorganico) superiore al 99,999%.
Nota: 3C003 sottopone ad autorizzazione solo i composti il cui elemento metallico, parzialmente
metallico o non metallico è direttamente legato al carbonio nella parte organica della
molecola.
3C004 Idruri di fosforo, di arsenico o di antimonio, aventi una purezza superiore al 99,999%, anche se diluiti in
gas inerti o idrogeno.
Nota: 3C004 non sottopone ad autorizzazione gli idruri contenenti il 20% molare o più di gas inerti
o di idrogeno.
3C005 Fette di carburo di silicio (SiC) con resistività superiore a 10.000 ohm-cm.
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ALLEGATO I IT