12005/07 ADD 1 us DG E CONSIGLIO DELL'UNIONE ... - Senato.it
12005/07 ADD 1 us DG E CONSIGLIO DELL'UNIONE ... - Senato.it
12005/07 ADD 1 us DG E CONSIGLIO DELL'UNIONE ... - Senato.it
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
6A005 (segue)<br />
d. altri "laser" non specificati in 6A005.a., 6A005.b. o 6A005.c., come segue:<br />
1. "laser" a semiconduttore come segue:<br />
Nota 1: 6A005.d.1. comprende i "laser" a semiconduttore con connettori ottici di<br />
<strong>us</strong>c<strong>it</strong>a (connettori a spirale di fibra ottica).<br />
Nota 2: la condizione di esportabil<strong>it</strong>à dei "laser" a semiconduttore appos<strong>it</strong>amente<br />
progettati per altre apparecchiature è determinata dalle condizioni stabil<strong>it</strong>e<br />
per tali apparecchiature.<br />
a. "laser" a semiconduttore monomodo traverso individuale aventi una delle<br />
caratteristiche seguenti:<br />
1. lunghezza d'onda uguale o inferiore a 1.510 nm e potenza di <strong>us</strong>c<strong>it</strong>a media o in<br />
onda continua superiore a 1,5W; o<br />
2. lunghezza d'onda superiore a 1510 nm e potenza di <strong>us</strong>c<strong>it</strong>a media o in onda<br />
continua superiore a 500 mW;<br />
b. "laser" a semiconduttore multimodo trasverso individuale aventi una delle<br />
caratteristiche seguenti:<br />
1. lunghezza d'onda inferiore a 1.400 nm e potenza di <strong>us</strong>c<strong>it</strong>a media o in onda<br />
continua superiore a 10 W;<br />
2. lunghezza d'onda uguale o superiore a 1.400 nm e inferiore a 1.900 nm e<br />
potenza di <strong>us</strong>c<strong>it</strong>a media o in onda continua superiore a 2,5 W; o<br />
3. lunghezza d'onda uguale o superiore a 1.900 nm e potenza di <strong>us</strong>c<strong>it</strong>a media o<br />
in onda continua superiore a 1W.<br />
c. Allineamenti di "laser" a semiconduttore individuali aventi una delle caratteristiche<br />
seguenti:<br />
1. lunghezza d'onda inferiore a 1.400 nm e potenza di <strong>us</strong>c<strong>it</strong>a media o in onda<br />
continua superiore a 80 W;<br />
2. lunghezza d'onda uguale o superiore a 1.400 nm e inferiore a 1.900 nm e<br />
potenza di <strong>us</strong>c<strong>it</strong>a media o in onda continua superiore a 25 W; o<br />
3. lunghezza d'onda uguale o superiore a 1.900 nm e potenza di <strong>us</strong>c<strong>it</strong>a media o<br />
in onda continua superiore a 10 W;<br />
d. Pile di allineamenti di "laser" a semiconduttore contenenti almeno un allineamento<br />
sottoposto ad autorizzazione in 6A005.d.1.c.;<br />
Note tecniche:<br />
1. i "laser" a semiconduttore sono comunemente chiamati diodi "laser".<br />
2. un 'allineamento' è cost<strong>it</strong>u<strong>it</strong>o da emett<strong>it</strong>ori "laser" a semiconduttore multipli<br />
fabbricati come chip unica in modo che i centri dei fasci di luce emessi si trovino su<br />
tracciati paralleli.<br />
3. una 'pila di allineamenti' è fabbricata impilando o assemblando in altro modo gli<br />
'allineamenti' in modo che i centri dei fasci di luce emessi si trovino su tracciati<br />
paralleli.<br />
2. "laser" ad ossido di carbonio (CO) aventi una delle caratteristiche seguenti:<br />
a. energia di <strong>us</strong>c<strong>it</strong>a superiore a 2 J per impulso e "potenza di picco" superiore a 5 kW;<br />
o<br />
b. potenza di <strong>us</strong>c<strong>it</strong>a media o in onda continua superiore a 5 kW;<br />
159<br />
ALLEGATO I IT