12005/07 ADD 1 us DG E CONSIGLIO DELL'UNIONE ... - Senato.it

6A002 Sensori ottici:
NB: VEDERE ANCHE 6A102
a. rivelatori ottici, come segue:
Nota: 6A002.a non sottopone ad autorizzazione i fotodispositivi al germanio o al silicio.
NB: le "matrici sul piano focale" non "qualificate per impiego spaziale" costituite da
microbolometri basati su silicio o altri materiali sono specificate solo in 6A002.a3f.
1. rivelatori a semiconduttori "qualificati per impiego spaziale", come segue:
a. rivelatori a semiconduttori "qualificati per impiego spaziale", aventi tutte le
caratteristiche seguenti:
1. risposta di picco nella gamma di lunghezze d'onda superiori a 10 nm ma non
superiori a 300 nm e
2. risposta minore dello 0,1% della risposta di picco per lunghezze d'onda
superiori a 400 nm;
b. rivelatori a semiconduttori "qualificati per impiego spaziale" aventi tutte le
caratteristiche seguenti:
1. risposta di picco nella gamma di lunghezze d'onda superiori a 900 nm ma non
superiori a 1.200 nm e
2. "costante di tempo" della risposta di 95 ns o meno;
c. rivelatori a semiconduttori "qualificati per impieghi spaziali" aventi una risposta di
picco nella gamma di lunghezze d'onda superiori a 1.200 nm ma non superiori a
30.000 nm;
2. tubi intensificatori di immagine e loro componenti appositamente progettati, come segue:
a. tubi intensificatori di immagine aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. risposta di picco nella gamma di lunghezze d'onda superiori a 400 nm ma non
superiori a 1.050 nm;
2. dotati di una placca a microcanali per l'amplificazione elettronica
dell'immagine, con una spaziatura dei fori (da centro a centro) uguale o
inferiore a 12 μm e
3. Uno qualsiasi dei seguenti fotocatodi:
a. fotocatodi S-20, S-25 o multialcalini con sensibilità luminosa
superiore a 350 μA/lm;
b. fotocatodi di arseniuro di gallio (GaAs) o di arseniuro di gallio-indio
(GaInAs) o
c. altri fotocatodi semiconduttori composti appartenenti alle classi III-V;
Nota: 6A002.a.2.a.3.c non si applica ai fotocatodi
semiconduttori composti con sensibilità radiante
massima di 10 mA/W o inferiore.
b. componenti appositamente progettati, come segue:
1. placche a microcanali aventi una spaziatura dei fori (da centro a centro)
uguale o inferiore a 12 μm;
2. fotocatodi di arseniuro di gallio (GaAs) o arseniuro di gallio-indio (GaInAs);
3. altri fotocatodi semiconduttori composti appartenenti alle classi III-V;
Nota: 6A002.a.2.b.3 non sottopone ad autorizzazione i fotocatodi
semiconduttori composti con sensibilità radiante massima di
10 mA/W o inferiore.
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ALLEGATO I IT