12005/07 ADD 1 us DG E CONSIGLIO DELL'UNIONE ... - Senato.it

3B001 (segue)
b. apparecchiature progettate per l'impiantazione ionica, aventi una delle caratteristiche seguenti:
1. energia del fascio (tensione di accelerazione) superiore a 1 MeV;
2. appositamente progettate ed ottimizzate per funzionare con una energia del fascio (tensione
di accelerazione) inferiore a 2 keV;
3. capacità di scrittura diretta o
4. energia del fascio uguale o superiore a 65 keV e corrente del fascio uguale o superiore a
45 mA in grado di impiantare ad alta energia ossigeno in un "substrato" di materiale
semiconduttore riscaldato;
c. apparecchiature di incisione con metodi a secco anisotropi a plasma, come segue:
1. apparecchiature con funzionamento da cassetta a cassetta e a camera di trasferimento ed
aventi una delle caratteristiche seguenti:
a. progettate o ottimizzate per produrre dimensioni critiche uguali o inferiori a 180 nm
con una precisione pari a ± 5% (3 sigma) o
b. progettate per generare meno di 0,04 particelle/cm2 con dimensione delle particelle
misurabile avente diametro maggiore di 0,1 µm;
2. apparecchiature appositamente progettate per le apparecchiature specificate in 3B001.e ed
aventi una delle caratteristiche seguenti:
a. progettate o ottimizzate per produrre dimensioni critiche uguali o inferiori a 180 nm
con una precisione pari a ± 5% (3 sigma) o
b. progettate per generare meno di 0,04 particelle/cm2 con dimensione delle particelle
misurabile avente diametro maggiore di 0,1 µm;
d. apparecchiature per la deposizione in fase di vapore di elementi chimici (CVD) potenziato a
plasma, come segue:
1. apparecchiature con funzionamento da cassetta a cassetta e a camera di
trasferimento, progettate secondo le specifiche del costruttore o ottimizzate per l'uso
nella produzione di dispositivi semiconduttori con dimensioni critiche uguali o
inferiori a 180 nm;
2. apparecchiature appositamente progettate per le apparecchiature sottoposte ad
autorizzazione in 3B001.e, progettate secondo le specifiche del costruttore o
ottimizzate per l'uso nella produzione di dispositivi semiconduttori con dimensioni
critiche uguali o inferiori a 180 nm;
e. sistemi centrali a camere multiple di manipolazione di fette a caricamento automatico aventi tutte
le caratteristiche seguenti:
1. interfacce per l'ingresso e l'uscita delle fette, cui devono essere collegate più di due
apparecchiature di trattamento di semiconduttori e
2. progettati in modo da formare un sistema integrato per il trattamento sequenziale multiplo
delle fette in un ambiente sotto vuoto;
Nota: 3B001.e non sottopone ad autorizzazione i sistemi robotizzati automatici di
manipolazione delle fette non progettati per funzionare in ambiente sotto vuoto.
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ALLEGATO I IT