12005/07 ADD 1 us DG E CONSIGLIO DELL'UNIONE ... - Senato.it

3A232 (segue)
Nota tecnica:
in 3A232 i detonatori in esame utilizzano tutti un piccolo conduttore elettrico (ponte, filo o lamina) che
vaporizza in modo esplosivo quando viene attraversato da un impulso elettrico rapido ad alta intensità.
Nei tipi non a slapper, il conduttore che esplode innesca una detonazione chimica in un materiale
altamente esplosivo al contatto come il PETN (pentrite). Nei detonatori a slapper la vaporizzazione in
modo esplosivo di un conduttore elettrico spinge una lamina mobile (flyer) o uno slapper attraverso un
varco e l'impatto dello slapper su di un esplosivo innesca la detonazione chimica. Lo slapper in alcune
realizzazioni è azionato dalla forza magnetica. Il termine detonatore a lamina esplodente può riferirsi sia
ad un detonatore EB che di tipo a slapper. Anche il termine innesco è usato a volte al posto della parola
detonatore.
3A233 Spettrometri di massa, diversi da quelli specificati in 0B002.g, in grado di misurare ioni di unità di massa
atomica uguale o superiore a 230 ed aventi una risoluzione migliore di 2 parti su 230, come segue, e loro
sorgenti di ioni:
a. spettrometri di massa a plasma ad accoppiamento induttivo (ICP/MS);
b. spettrometri di massa con scarica a bagliore (GDMS);
c. spettrometri di massa a ionizzazione termica (TIMS);
d. spettrometri di massa a bombardamento di elettroni aventi una camera sorgente costruita, placcata
o rivestita con materiali resistenti all'UF6;
e. spettrometri di massa a fascio molecolare aventi una delle caratteristiche seguenti:
1. camera sorgente costruita, placcata o rivestita con acciaio inossidabile o molibdeno ed
equipaggiati con una trappola a freddo in grado di raffreddare ad una temperatura uguale o
inferiore a 193 K (-80°C) o
2. camera sorgente costruita, placcata o rivestita con materiali resistenti all'UF6;
f. spettrometri di massa equipaggiati con una sorgente ionica di microfluorurazione progettati per
attinidi o fluoruri di attinidi.
3B Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione
3B001 Apparecchiature per la fabbricazione di dispositivi o di materiali semiconduttori, come segue, e loro
componenti ed accessori appositamente progettati:
a. apparecchiature progettate per la crescita epitassiale, come segue:
1. apparecchiature in grado di realizzare uno strato di qualsiasi materiale diverso dal silicio
con unformità di spessore entro ±2,5% lungo una distanza di 75 mm o più;
2. reattori di deposito in fase di vapore di elementi chimici organo-metallici (MOCVD)
appositamente progettati per la crescita di cristalli semiconduttori composti mediante
reazione chimica tra materiali specificati in 3C003 o 3C004;
3. apparecchiature di crescita epitassiale a fascio molecolare che utilizzano sorgenti gassose o
solide;
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ALLEGATO I IT