12005/07 ADD 1 us DG E CONSIGLIO DELL'UNIONE ... - Senato.it

CATEGORIA 3 - MATERIALI ELETTRONICI
3A Sistemi, apparecchiature e componenti
Nota 1: la condizione di esportabilità delle apparecchiature, dei dispositivi e dei componenti
descritti in 3A001o3A002, tranne quelli descritti in 3A001.a.3 fino a 3A001.a.10 o in
3A001.a.12, appositamente progettati o aventi le stesse caratteristiche funzionali di altre
apparecchiature è determinata dalle condizioni stabilite per queste altre apparecchiature.
Nota 2: la condizione di esportabilità dei circuiti integrati descritti in 3A001.a.3 fino a 3A001.a.9 o
in 3A001.a.12, programmati o progettati in maniera non modificabile per una specifica
funzione di altre apparecchiature è determinata dalle condizioni stabilite per queste altre
apparecchiature.
NB: Se il fabbricante o il richiedente non è in grado di determinare la condizione di
esportabilità delle altre apparecchiature, la condizione di esportabilità dei circuiti
integrati è allora determinata in 3A001.a.3 fino a 3A001.a.9 e in 3A001.a.12. Se il
circuito integrato è un "microcircuito microcalcolatore" o un microcircuito
microcontrollore a base di silicio descritto in 3A001.a.3 avente una lunghezza di
parola di operando (dati) di 8 bit o meno, la condizione di esportabilità del circuito
integrato è determinata in 3A001.a.3.
3A001 Dispositivi e componenti elettronici:
a. circuiti integrati di uso generale, come segue:
Nota 1: la condizione di esportabilità delle fette (finite o non finite) nelle quali la funzione
sia stata determinata deve essere valutata in funzione dei parametri definiti in
3A001.a;
Nota 2: i circuiti integrati comprendono i tipi seguenti:
"circuiti integrati monolitici",
"circuiti integrati ibridi",
"circuiti integrati a micropiastrine multiple",
"circuiti integrati a film" compresi i circuiti integrati di silicio su zaffiro,
"circuiti integrati ottici".
1. circuiti integrati progettati o previsti come circuiti resistenti alle radiazioni per sopportare:
a. una dose totale di 5x10 3 Gy (silicio) o più
b. un tasso della dose di 5x10 6 Gy (silicio)/s o più; o
c. una fluenza (flusso integrato) di neutroni (1 MeV equivalente) di 5 x 10 13 n/cm 2 o
superiore sul silicio, o il valore equivalente per altri materiali;
Nota: 3A001.a.1.c. non si applica ai metalli isolanti semiconduttori (MIS) (MIS).
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ALLEGATO I IT