Grundlagen der Digitaltechnik - Ing. H. Heuermann - FH Aachen
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4.2 Schaltungstechnische Realisierung mit Bipolartransistoren 43<br />
An<strong>der</strong>s sieht es bei dem direkten Signalpfad über <strong>der</strong> C-E-Strecke von V 2 aus. Über diesen<br />
Pfad fällt nach <strong>der</strong> Auslegung nach Bild 4.7 bereits eine Leistung von 9,6mW ab.<br />
Schaltungstechnik <strong>der</strong> Schottky-TTL-Gatter<br />
Die Schaltungstechnik <strong>der</strong> Schottky-TTL-Gatter basiert aus einen beschalteten bipolaren<br />
Transistor, wie dieser im Bild 4.8 dargestellt ist.<br />
Bild 4.8: Innerer Aufbau des bipolaren Schottky-Transistors und dessen Schaltsymbol<br />
Die zugehörige Übertragungskennlinie eines Low-Power Schottky-TTL-Inverter ist im Bild 4.9<br />
dargestellt.<br />
Bild 4.9: Übertragungskennlinie eines Low-Power Schottky-TTL-Inverter<br />
Die spezielle Schottky-Diode hat eine Diodenflussspannung von nur 0,4V. Somit liegt nie<br />
eine größere Spannung als diese 0,3V über <strong>der</strong> B-C-Strecke (s. Bild 4.8). Diese geringe<br />
Spannung verhindet, dass <strong>der</strong> Transistor über <strong>der</strong> C-E-Strecke in Sättigung geht, was bei<br />
<strong>der</strong> Standard-TTL-Technik <strong>der</strong> Fall ist.<br />
Da die Transistoren nicht mehr in Kompression sind, kann die innere Wi<strong>der</strong>standsbeschaltung<br />
deutlich hochohmiger ausfallen, was zur Folge hat, dass diese Technik nur ein fünftel<br />
des Stromverbrauches <strong>der</strong> Standard-TTL-Technologie aufweist, Bild 4.10.
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