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Volltext - Universität Hamburg

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Abbildungsverzeichnis<br />

6.12. Abhängigkeit der Verstärkung bzgl. Wellenfrontstörungen . . . . . . . . . . . . . 81<br />

7.1. Integrierte abgestrahlte Leistung der spontanen Undulatorstrahlung. . . . . . . . 84<br />

7.2. Temperaturentwicklung eines Diamantkristalls nach Absorption eines Pulszugs. . 85<br />

7.3. Temperaturentwicklung eines Diamantkristalls nach Absorption eines Pulszugs. . 86<br />

7.4. Temperaturverteilung und Temperaturverlauf eines dünnen Kristalls. . . . . . . 90<br />

7.5. Temperaturverteilung und Temperaturverlauf eines dicken Kristalls. . . . . . . . 91<br />

7.6. Temperaturentwicklung hervorgerufen durch Undulatorstrahlung (1 nC). . . . . . 92<br />

7.7. Temperaturentwicklung hervorgerufen durch Undulator- und XFELO-Strahlung. 93<br />

7.8. Temperaturentwicklung hervorgerufen durch Undulatorstrahlung (100 pC). . . . . 94<br />

7.9. Temperaturentwicklung hervorgerufen durch unterschiedliche lange Anregungen. 94<br />

8.1. Absortionlänge von Diamant und Silizium im UV bzw. NIR. . . . . . . . . . . . . 96<br />

8.2. Schematischer Aufbau des Strahlfächers C am DORIS . . . . . . . . . . . . . . . 97<br />

8.3. Schematischer Aufbau des experimentellen Aufbaus mit zwei Kristallen. . . . . . 98<br />

8.4. Schematischer Aufbau des experimentellen Aufbaus . . . . . . . . . . . . . . . . . 99<br />

8.5. CAD-Darstellung des Experiments. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100<br />

8.6. CAD-Ansichten des Aufbaus des kryogenisch gekühlten Kristalls. . . . . . . . . . 102<br />

8.7. Messung der Temperatur des Kristallhalters. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103<br />

8.8. Schematische Darstellung des Lasersystems . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105<br />

8.9. Schematische Darstellung der Laserpulse und Röntgen-Lichtpulse. . . . . . . . . 106<br />

8.10. Darstellung des optischen Wegs zwischen Laser und Kristall . . . . . . . . . . . . 107<br />

8.11. DuMond-Diagramm für Kristallanordung im Experiment. . . . . . . . . . . . . . 109<br />

8.12. Theoretische Signaländerng des Experiments. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110<br />

8.13. Messung der Winkelabhängigkeit des Experiments für Si ( 5 5 5 ) . . . . . . . . . . 111<br />

A.1. Füllmuster der Elektronenpakete des European XFELs. . . . . . . . . . . . . . . 118<br />

A.2. Schematische Darstellung des Strahlfächers vom European XFEL . . . . . . . . . 120<br />

C.1. Numerische Simulation eines XFELOs langen ERL-typischen Elektronenpulsen. . 127<br />

D.1. Thermische Eigenschaften von Silizium und Diamant. . . . . . . . . . . . . . . . 131<br />

D.2. Änderung der Photonenenergie in Abhängigkeit von Temperaturänderung . . . . 132<br />

D.3. Temperaturverteilung und Temperaturverlauf für Diamant bei T 0 = 300 K. . . . 133<br />

D.4. Temperaturverteilung und Temperaturverlauf für Diamant bei T 0 = 300 K. . . . 134<br />

D.5. Temperaturverteilung und Temperaturverlauf für Diamant bei T 0 = 100 K. . . . 135<br />

D.6. Temperaturverteilung und Temperaturverlauf für Diamant bei T 0 = 75 K. . . . . 136<br />

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