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Qualification de IONIC, instrument de recombinaison ...

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tel-00010396, version 1 - 4 Oct 2005<br />

5.3. TESTS DE DIFFÉRENTS CONCEPTS INSTRUMENTAUX 3T 135<br />

(µm)<br />

3000<br />

2500<br />

2000<br />

1500<br />

1000<br />

500<br />

0<br />

−500<br />

1<br />

2<br />

3<br />

Région A<br />

gui<strong>de</strong> courbe 1<br />

Région B<br />

−0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4<br />

x 10 4<br />

−1000<br />

gui<strong>de</strong> courbe 4<br />

P1<br />

P2<br />

P3<br />

I12<br />

I21<br />

gui<strong>de</strong> droit 6<br />

Fig. 5.20 – Recombinateur 3T réalisé par gravure <strong>de</strong> silice sur silicium, schéma et composant<br />

réalisé. Une partie du flux est prélevée sur chacune <strong>de</strong>s voies d’entrée pour la calibration<br />

photométrique. Les voies sont ensuite recombinées <strong>de</strong>ux-à-<strong>de</strong>ux. Les fonctions <strong>de</strong> séparation<br />

photométrique et <strong>de</strong> <strong>recombinaison</strong> sont réalisées par <strong>de</strong>s coupleurs directionnels, et pour<br />

chaque paire recombinée on a donc <strong>de</strong>ux sorties interférométriques en opposition <strong>de</strong> phase.<br />

La séparation du flux interférométrique est réalisée par <strong>de</strong>s jonctions Y afin <strong>de</strong> bien diviser<br />

achromatiquement le flux en <strong>de</strong>ux parties égales avant <strong>recombinaison</strong> avec chacune <strong>de</strong>s <strong>de</strong>ux<br />

autres voies.<br />

du coupleur (on a pris le même pour toutes les voies) on a pris un rapport <strong>de</strong> transmission<br />

égal à 1.<br />

(µm)<br />

Pour les coupleurs <strong>de</strong> <strong>recombinaison</strong>, afin <strong>de</strong> ne pas créer <strong>de</strong> déséquilibre photométrique<br />

entre les <strong>de</strong>ux voies inci<strong>de</strong>ntes, c’est un taux <strong>de</strong> couplage <strong>de</strong> 0,5 qui est recherché. On a utilisé<br />

<strong>de</strong>s coupleurs plutôt que <strong>de</strong>s jonctions Y inverses afin d’éviter la perte par rayonnement <strong>de</strong><br />

50% du flux dans le substrat. L’utilisation visée en ban<strong>de</strong> H impose, après avoir choisi les<br />

taux <strong>de</strong> couplage, <strong>de</strong> rendre ceux-ci achromatiques (voir paragraphe 4.6). A cette fin <strong>de</strong>s<br />

simulations numériques ont été menées sur <strong>de</strong>s coupleurs asymétriques. La dimension réduite<br />

du composant a permis d’en positionner plusieurs sur le masque <strong>de</strong> réalisation en faisant<br />

varier, à partir du même schéma général, les paramètres géométriques <strong>de</strong> l’un à l’autre :<br />

longueur <strong>de</strong> couplage, taille et séparation <strong>de</strong>s gui<strong>de</strong>s, chaque configuration correspondant à<br />

un point <strong>de</strong> fonctionnement achromatique théorique ou encadrant celui-ci. De plus, quatre<br />

plaques complètes ont été réalisées en faisant cette fois varier les paramètres technologiques<br />

<strong>de</strong> fabrication. Cette étu<strong>de</strong> systématique (Duchêne, 1999) a permis <strong>de</strong> vérifier l’adéquation<br />

entre les simulations et les mesures effectuées. Les connaissances acquises sur les performances<br />

en fonction <strong>de</strong> la technologie et <strong>de</strong> la géométrie ont ainsi permis <strong>de</strong> déduire facilement les<br />

modifications à apporter à ce masque afin <strong>de</strong> corriger les défauts i<strong>de</strong>ntifiés.

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