Qualification de IONIC, instrument de recombinaison ...
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tel-00010396, version 1 - 4 Oct 2005<br />
3.2. TECHNOLOGIES D’OPTIQUE INTÉGRÉE PLANAIRE 39<br />
peut ainsi facilement tester le comportement <strong>de</strong> nouvelles fonctions. Mais l’utilisation <strong>de</strong>s ions<br />
potassium introduit <strong>de</strong>s contraintes mécaniques importantes dans les gui<strong>de</strong>s qui ne permet<br />
pas d’enterrer ceux-ci. Le gui<strong>de</strong> possè<strong>de</strong> alors une interface avec l’air. Ils sont alors sensibles<br />
aux conditions extérieures. Par ailleurs les pertes lors du couplage avec <strong>de</strong>s fibres optiques<br />
sont importantes en raison <strong>de</strong> la différence <strong>de</strong> forme <strong>de</strong>s mo<strong>de</strong>s fondamentaux <strong>de</strong>s gui<strong>de</strong>s.<br />
L’utilisation d’ions argent n’engendre pas <strong>de</strong> contraintes importantes dans le verre et les<br />
gui<strong>de</strong>s peuvent donc être facilement enterrés. Dans ce cas, il est même nécessaire <strong>de</strong> réaliser<br />
cette étape sinon les ions proches <strong>de</strong> la surface peuvent réagir avec <strong>de</strong>s impuretés en surface<br />
et former <strong>de</strong>s atomes d’argent qui <strong>de</strong>viennent alors absorbants. L’utilisation comme substrat<br />
d’un verre réalisé spécifiquement pour cet échange permet d’obtenir <strong>de</strong>s gui<strong>de</strong>s <strong>de</strong> gran<strong>de</strong><br />
qualité. L’échange d’ions thallium permet la réalisation <strong>de</strong> gui<strong>de</strong>s enterrés ou non, et est<br />
utilisé lorsque l’on veut obtenir <strong>de</strong>s différences d’indice importantes. Cependant la toxicité<br />
<strong>de</strong> cet élément rend son emploi délicat.<br />
3.2.2 Gravure <strong>de</strong> silice sur silicium<br />
La micro-électronique a été à l’origine du développement <strong>de</strong> la technologie <strong>de</strong> gravure <strong>de</strong><br />
couches <strong>de</strong> silice dopée déposées sur un substrat <strong>de</strong> silicium. L’idée d’utiliser cette technologie<br />
pour <strong>de</strong>s applications optiques est arrivée rapi<strong>de</strong>ment et a conduit dans un premier temps à<br />
la réalisation <strong>de</strong> fonctions similaires à celles <strong>de</strong> l’optique classique comme <strong>de</strong>s lentilles et <strong>de</strong>s<br />
miroirs (Mottier & Valette, 1981). Les progrès technologiques ainsi que l’amélioration <strong>de</strong><br />
la qualité optique <strong>de</strong>s gui<strong>de</strong>s a permis le développement <strong>de</strong> nouvelles fonctions basées sur les<br />
gui<strong>de</strong>s d’on<strong>de</strong>.<br />
La première voie technologique explorée (nitrure <strong>de</strong> silicium (Si3N4) déposé sur <strong>de</strong> la<br />
silice (SiO2)) entraînait une forte différence d’indice (∆ n = 0,5) entre le cœur et les couches<br />
<strong>de</strong> recouvrement, ce qui permettait la fabrication d’éléments <strong>de</strong> très petites dimensions mais<br />
défavorisait le couplage avec <strong>de</strong>s fibres optiques. Ces gui<strong>de</strong>s présentaient une biréfringence<br />
élevée donc un comportement très différent entre les mo<strong>de</strong>s <strong>de</strong> propagation polarisés TE et<br />
TM. Pour résoudre le problème du couplage avec les fibres optiques, une <strong>de</strong>uxième métho<strong>de</strong><br />
a été mise au point. Elle est basée sur la gravure d’une couche <strong>de</strong> silice dopée au phosphore<br />
formant le cœur entourée d’autres couches <strong>de</strong> silice également dopées au phosphore mais plus<br />
faiblement. On atteint ainsi <strong>de</strong>s différences d’indice allant <strong>de</strong> 0,015 à 0,003, similaires à celles<br />
rencontrées dans le cas <strong>de</strong>s fibres. Les tailles <strong>de</strong>s cœurs sont alors du même ordre que pour<br />
les fibres optiques et on obtient <strong>de</strong> très bons taux <strong>de</strong> couplage.<br />
La figure 3.4 présente le processus <strong>de</strong> réalisation <strong>de</strong> ces gui<strong>de</strong>s :<br />
– Sur un substrat <strong>de</strong> silicium sont déposées successivement <strong>de</strong>ux couches <strong>de</strong> silice dopée<br />
au phosphore (1). La première couche dopée à 3% a un indice voisin <strong>de</strong> 1,465 et son<br />
épaisseur varie entre 12 et 15 µm. La couche supérieur présente elle un dopage à 6% et<br />
une épaisseur <strong>de</strong> 4,5 à 5 µm. Son indice est voisin <strong>de</strong> 1,475. C’est cette couche qui va