Doktorarbeit_Mairoser.pdf - OPUS - Universität Augsburg
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7. Der ferromagnetische Halbleiter EuO<br />
tallgitter eingebaut, ergibt sich neben eines zusätzlichen indirekten Austausches durch<br />
die elektronische Dotierung (Kapitel 7.3.2) auch ein Einfluss auf die Gitterkonstante.<br />
Werden beispielsweise Gd 3+ -Ionen (Ionenradius 0,938 Å [177]) anstatt der Eu 2+ -<br />
Ionen in den Kristall eingebaut, zeigt sich eine Reduktion der Gitterkonstanten, wie<br />
Messungen an Gd-dotierten Einkristallen zeigen [59]. Dieser Effekt wurde auch für<br />
dünne Gd-dotierte EuO-Filme beobachtet [48, 159]. Spektroskopische Messungen in<br />
Kombination mit Bandstrukturrechnungen zeigen, dass die Erhöhung von T C in Gddotierten<br />
EuO-Filmen nicht allein durch den zusätzlichen indirekten Austausch aufgrund<br />
der elektronischen Dotierung erklärt werden kann. Ein entscheidender Beitrag<br />
zur T C -Erhöhung ergibt sich durch den zusätzlichen Austausch aufgrund des Einbaus<br />
der kleineren Gd 3+ -Ionen ins EuO-Gitter und der damit verbundenen Kontraktion<br />
der Gitterkonstanten [67].<br />
7.3.2. Magnetische Eigenschaften von elektronisch dotiertem EuO<br />
Für elektronisch dotiertes EuO ändern sich neben den Transport- (Kapitel 7.2) auch<br />
die magnetischen Eigenschaften. Durch eine zusätzliche indirekte Austauschwechselwirkung<br />
lässt sich die Curie-Temperatur von 69 K auf bis zu 200 K [56] steigern.<br />
Experimentelle Studien zur Erhöhung von T C<br />
Zur Erhöhung von T C wurden die in Kapitel 7.2.1 genannten Dotanten eingesetzt.<br />
Das größte bisher berichtete T C von 200 K wurde an einem 10 % La-dotierten Film<br />
gemessen [56]. Hohe Curie-Temperaturen von 180 K wurden auch für die Dotierung<br />
polykristalliner EuO-Filme mit Eisen berichtet [70]. Eine umfassendere Diskussion<br />
der Fe-Dotierung von EuO-Filmen inklusive Messungen an einer Dotierserie sowie<br />
an Filmen, die auf unterschiedlichen Substraten bei unterschiedlichen Temperaturen<br />
gewachsen wurden, befindet sich in Anhang F.<br />
In den meisten Studien wurde Gd als Dotant verwendet, da Gd 3+ dieselbe Elektronenkonfiguration<br />
besitzt wie das zu ersetzende Eu 2+ -Ion, aber zusätzlich ein Elektron<br />
dotiert. Somit wird erwartet, dass das magnetische Gitter aus den 4f-Spins, die den<br />
Heisenberg-Austausch erzeugen, nicht gestört wird.<br />
Die Abhängigkeit der Curie-Temperatur von der Gd-Dotierung x in Eu 1−x Gd x O-Filmen<br />
wurde bereits mehrfach untersucht [63–65,72]. Alle Studien berichten von einem<br />
Maximum in T C (x). Die maximal erreichbare Curie-Temperatur variiert allerdings in<br />
den drei Studien beträchtlich. So erreichen Ott et al. maximal 170 K bei x = 0,04.<br />
Bei Sutarto et al. bzw. bei der in meiner Diplomarbeit untersuchten Eu 1−x Gd x O-<br />
Probenserie fällt das Maximum deutlich geringer aus (125 K bei x = 0,06 bzw. 129 K<br />
bei x = 0,08). Während die Filme in den beiden letztgenannten Fällen epitaktisch<br />
gewachsen wurden und keine Sauerstofffehlstellen aufweisen (adsorption controlled<br />
growth mode (Kapitel 7.5.2)) und somit vergleichbar miteinander sind, haben Ott<br />
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