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Doktorarbeit_Mairoser.pdf - OPUS - Universität Augsburg

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7. Der ferromagnetische Halbleiter EuO<br />

tallgitter eingebaut, ergibt sich neben eines zusätzlichen indirekten Austausches durch<br />

die elektronische Dotierung (Kapitel 7.3.2) auch ein Einfluss auf die Gitterkonstante.<br />

Werden beispielsweise Gd 3+ -Ionen (Ionenradius 0,938 Å [177]) anstatt der Eu 2+ -<br />

Ionen in den Kristall eingebaut, zeigt sich eine Reduktion der Gitterkonstanten, wie<br />

Messungen an Gd-dotierten Einkristallen zeigen [59]. Dieser Effekt wurde auch für<br />

dünne Gd-dotierte EuO-Filme beobachtet [48, 159]. Spektroskopische Messungen in<br />

Kombination mit Bandstrukturrechnungen zeigen, dass die Erhöhung von T C in Gddotierten<br />

EuO-Filmen nicht allein durch den zusätzlichen indirekten Austausch aufgrund<br />

der elektronischen Dotierung erklärt werden kann. Ein entscheidender Beitrag<br />

zur T C -Erhöhung ergibt sich durch den zusätzlichen Austausch aufgrund des Einbaus<br />

der kleineren Gd 3+ -Ionen ins EuO-Gitter und der damit verbundenen Kontraktion<br />

der Gitterkonstanten [67].<br />

7.3.2. Magnetische Eigenschaften von elektronisch dotiertem EuO<br />

Für elektronisch dotiertes EuO ändern sich neben den Transport- (Kapitel 7.2) auch<br />

die magnetischen Eigenschaften. Durch eine zusätzliche indirekte Austauschwechselwirkung<br />

lässt sich die Curie-Temperatur von 69 K auf bis zu 200 K [56] steigern.<br />

Experimentelle Studien zur Erhöhung von T C<br />

Zur Erhöhung von T C wurden die in Kapitel 7.2.1 genannten Dotanten eingesetzt.<br />

Das größte bisher berichtete T C von 200 K wurde an einem 10 % La-dotierten Film<br />

gemessen [56]. Hohe Curie-Temperaturen von 180 K wurden auch für die Dotierung<br />

polykristalliner EuO-Filme mit Eisen berichtet [70]. Eine umfassendere Diskussion<br />

der Fe-Dotierung von EuO-Filmen inklusive Messungen an einer Dotierserie sowie<br />

an Filmen, die auf unterschiedlichen Substraten bei unterschiedlichen Temperaturen<br />

gewachsen wurden, befindet sich in Anhang F.<br />

In den meisten Studien wurde Gd als Dotant verwendet, da Gd 3+ dieselbe Elektronenkonfiguration<br />

besitzt wie das zu ersetzende Eu 2+ -Ion, aber zusätzlich ein Elektron<br />

dotiert. Somit wird erwartet, dass das magnetische Gitter aus den 4f-Spins, die den<br />

Heisenberg-Austausch erzeugen, nicht gestört wird.<br />

Die Abhängigkeit der Curie-Temperatur von der Gd-Dotierung x in Eu 1−x Gd x O-Filmen<br />

wurde bereits mehrfach untersucht [63–65,72]. Alle Studien berichten von einem<br />

Maximum in T C (x). Die maximal erreichbare Curie-Temperatur variiert allerdings in<br />

den drei Studien beträchtlich. So erreichen Ott et al. maximal 170 K bei x = 0,04.<br />

Bei Sutarto et al. bzw. bei der in meiner Diplomarbeit untersuchten Eu 1−x Gd x O-<br />

Probenserie fällt das Maximum deutlich geringer aus (125 K bei x = 0,06 bzw. 129 K<br />

bei x = 0,08). Während die Filme in den beiden letztgenannten Fällen epitaktisch<br />

gewachsen wurden und keine Sauerstofffehlstellen aufweisen (adsorption controlled<br />

growth mode (Kapitel 7.5.2)) und somit vergleichbar miteinander sind, haben Ott<br />

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