Doktorarbeit_Mairoser.pdf - OPUS - Universität Augsburg

C. Wachstum von Kupfer auf Silizium-Substraten
10 5
λ/2 von Si(800)
Cu(200)
Si(400)
10 4
10 3
100
10
1
10 6 20 30 40 50 60 70 80 90
THM_N_10
Intensität (a. u.)
(a)
2θ (°)
Normierte Intensität (a. u.)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
Si(111)
Cu(111)
THM_N_10
Substrat: Si(100)
0
0 50 100 150 200 250 300 350
ϕ (°)
(b)
Abbildung C.1.: (a) θ-2θ-Scan eines gesputterten Cu-Films auf Si(001). Da neben den Substrat-Peaks
nur ein Cu(002)-Peak zu erkennen ist, deutet dies auf phasenreines
(001)-orientiertes Cu hin. Der λ /2-Peak kommt zustande, da auch
höhere harmonische der Cu Kα -Linie auftreten. Die in (b) dargestellten ϕ-
Scans zeigen in Verbindung mit nicht gezeigten Berechnungen die Epitaxie
des Wachstums von Kupfer auf Si in der Relation Si (001) ‖Cu (001) mit
Si [100] ‖Cu [1¯10]. Die Wachstumsparameter waren: Cu-Target, Raumtemperatur,
z = −23 mm, Ar-Fluss 2,0 SCCM, p = 0,01 mbar, P DC = 20 W,
t D = 2 min.
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