Doktorarbeit_Mairoser.pdf - OPUS - Universität Augsburg

10 5
Cu(111)
Si(220)
Cu(222)
Si(440)
10 4
10 3
100
10
1
10 6 30 40 50 60 70 80 90 100 110
THM_N_07
Intensität (a. u.)
(a)
2θ (°)
Normierte Intensität (a. u.)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
Si(111)
Cu(111)
THM_N_07
Substrat: Si(110)
0
0 50 100 150 200 250 300 350
ϕ (°)
(b)
Abbildung C.2.: (a) θ-2θ-Scan eines gesputterten Cu-Films auf Si(110). Da neben den
Substrat-Peaks nur je ein Cu(111)- bzw. Cu(222)-Peak zu erkennen ist,
deutet dies auf phasenreines (111)-orientiertes Cu hin. In (b) sind ϕ-Scans
der Si(111)- bzw. Cu(111)-Netzebenen dargestellt. Für das epitaktische
Wachstum von Cu würde das Auftreten von drei Cu(111)-Peaks im Abstand
von 120 ◦ zu erwarten sein. Die sechs Peaks im Abstand von 60 ◦
deuten auf eine Zwillingsbildung im Winkel von 180 ◦ hin. Da jeder Peak
noch einmal zwei weitere Maxima zeigt, deutet dies auf eine weitere Verdrehung
einiger Filmbereiche zueinander hin. Die Wachstumsparameter
waren: Cu-Target, Raumtemperatur, z = −23 mm, Ar-Fluss 2,0 SCCM,
p = 0,01 mbar, P DC = 20 W, t D = 2 min.
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