Doktorarbeit_Mairoser.pdf - OPUS - Universität Augsburg

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4. Sputtersystem zur in situ Neutronen-Reflektometrie Abbildung 4.1.: Fotografie der ersten Ausbaustufe des Sputtersystems zur in situ Neutronen-Reflektometrie. Von links nach rechts: Gas-Handling-System zur Versorgung mit Prozessgasen, höhenverstellbare Vakuumkammer mit dem eigentlichen Sputtersystem, Elektronik-Rack und Steuercomputer. Die Grundfläche des Sputtersystems beträgt etwa 1 m × 1 m. (Foto Fotostudio Herzig.) möglicherweise bestrahlt werden, mit neutronenabsorbierenden Materialen zu verkleiden. Bei den Bauteilen, die der Neutronenstrahl zu passieren hat, war auf eine möglichst geringe Absorption zu achten. So bestehen die Ein- und Austrittsfenster aus Bor-freiem Glas. Abbildung 4.2 (a) zeigt technische Zeichnungen der höhenverstellbaren Sputterkammer in verschiedenen Ansichten mit den grundlegenden Maßen. In (b) wird eine Schnittzeichnung der eigentlichen Vakuumkammer des Sputtersystems mit dem zugehörigen Innenausbau gezeigt. In Anhang B befinden sich Konstruktionszeichnungen für den Bau der Vakuumkammer. Diese, die Drehdurchführungen und der x-z- Tisch 2 wurden von der Firma VAb Vakuum-Anlagenbau GmbH [107] hergestellt. Die Vakuumkammer bzw. die Flansche bestehen aus den Cobalt-freien Edelstahlsorten 1.4404 bzw. 1.4306. Die drei gewinkelten Magnetron-Sputterquellen (Abbildung 4.2 (b)) stammen von der Firma MeiVac [82] und können 2”-Targets aufnehmen. Die Magneten des Magnetrons und zur Zentrierung des Targets sind ebenfalls Cobalt-frei. Die Sputterquellen sind an einer DN300CF-Drehdurchführung befestigt und können mit 2 Die übliche Bezeichnung x-y-Tisch wird nicht verwendet, da die Achsen, die mit dem Lineartisch angesteuert werden, bei REFSANS als x bzw. z bezeichnet werden. 50
4.1. Aufbau des Sputtersystems 86 cm matchbox 96 cm 148.5 cm TOP LEFT (a) 3D x-z-Tisch UHV-Drehdurchführung für Heizerdrehung UHV-Drehdurchführung für Sputterquellen Neutroneneintrittsfenster Schild Sputterquelle Probenshutter Probenheizer Vakuumkammer (b) Abbildung 4.2.: (a) Technische Zeichnungen des höhenverstellbaren Sputtersystems in der Drauf- und Seitenansicht sowie in einer 3D-Ansicht. (b) Schnittzeichnung der Vakuumkammer des Sputtersystems mit dem zugehörigen Innenausbau. In der Mitte der Kammer befindet sich der Probenheizer mit dem zugehörigen Probenshutter. Der an einer Welle befestigte Heizer kann mittels eines x-z-Tisches und einer UHV-Drehdurchführung bewegt werden. Die drei Magnetron-Sputterquellen und eine zusätzliche Position für ein Pyrometer können mithilfe einer oben an der Kammer angebrachten DN300CF-UHV- Drehdurchführung angefahren werden. Um eine Kontamination der nicht genutzten Sputterquellen und den daran installierten Targets zu verhindern, sind Schilde angebracht. Weiterhin ist das Neutroneneintrittsfenster zu sehen. (Zeichnung (a) von A. Schmehl, Zeichnung (b) von A. Schmehl und A. Herrnberger.) 51
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In situ Neutronen-Reflektometrie un
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Für Jeanette, Michael und Benjamin
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8. Anwendung von biaxialem Stress I
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9. Untersuchung des Dotierverhalten
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10.4. Thermodynamische Betrachtung
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Teil IV. Zusammenfassung und Ausbli
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G. Berechnung thermodynamischer Pot
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Literaturverzeichnis [1] The 2011 d
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Literaturverzeichnis [27] K. Lee un
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Literaturverzeichnis [54] K. Y. Ahn
Seite 243 und 244:
Literaturverzeichnis [80] G. Kienel
Seite 245 und 246:
Literaturverzeichnis [122] KOLTER E
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Literaturverzeichnis [157] A. Mauge
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Literaturverzeichnis [183] N. Iwata
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Literaturverzeichnis [206] D. F. F
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Literaturverzeichnis [236] I. Rüte
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Publikationen A T. Mairoser, A. Sch
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