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Doktorarbeit_Mairoser.pdf - OPUS - Universität Augsburg

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10.2. Untersuchung des Wachstumsmechanismus<br />

Als Substrat wurde meist YAlO 3 im (110)-Schnitt verwendet. YAlO 3 kristallisiert in<br />

einer orthorhombischen Kristallstruktur (Raumgruppe 62) und besitzt die Gitterkonstanten<br />

a = 5,179 Å, b = 5,329 Å und c = 7,370 Å [220]. Abbildung 10.2 (a) zeigt<br />

eine schematische Darstellung der Einheitszelle. Der (110)-Schnitt ergibt ein nahezu<br />

quadratisches Gitter mit den Seitenlängen a ′ = √ a 2 +b 2<br />

= 3,716 Å parallel zur<br />

2<br />

[1¯10]-Richtung von YAlO 3 und b ′ = c = 3,685 Å parallel zur [001]-Richtung. Die<br />

2<br />

EuO-Einheitszelle wächst um 45 ◦ verdreht auf diesem Gitter auf, was schematisch in<br />

Abbildung 10.2 (b) dargestellt ist. EuO wächst somit in der epitaktischen Relation<br />

YAlO 3(110) ‖EuO (001) und YAlO 3[001] ‖EuO [1¯10] [194] auf. Die Gitterfehlanpassungen lassen<br />

sich mit Gleichung 2.4 berechnen zu 1,31 % entlang der [001]-Richtung von YAlO 3<br />

(entlang der [1¯10]-Richtung von EuO) und zu 2,16 % entlang der [1¯10]-Richtung von<br />

YAlO 3 (entlang der [110]-Richtung von EuO).<br />

(a)<br />

(b)<br />

Abbildung 10.2.: (a) Schematische Darstellung der orthorhombischen Einheitszelle von<br />

YAlO 3 . Für das Wachstum von EuO wird der (110)-Schnitt verwendet.<br />

Auf dem nahezu quadratischen Gitter wächst die EuO-Einheitszelle um<br />

45 ◦ verdreht auf (b).<br />

10.2. Untersuchung des Wachstumsmechanismus<br />

Die Herstellung der epitaktischen EuO-Filme findet in zwei Schritten statt. Zuerst<br />

wird auf das verwendete Substrat Eu 2 O 3 gesputtert. Durch die Verwendung von Argon<br />

und Sauerstoff als Arbeitsgase für den Sputterprozess wird der Eu 2 O 3 -Film voll<br />

aufoxidiert. Anschließend wird Ti auf die Filmoberfläche gesputtert. Dieses reduziert<br />

den Eu 2 O 3 -Film in einer topotaktischen Reaktion. Dieser Wachstumsmechanismus<br />

wird im Folgenden schrittweise betrachtet.<br />

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