Doktorarbeit_Mairoser.pdf - OPUS - Universität Augsburg

D. Verwendung von Eu 2 O 3 als Capping-Material
Wie bereits von Lee und Suits für gesputterte Filme gezeigt wurde, lässt sich Eu 2 O 3 als
Capping-Material verwenden [255]. Um die Anwendbarkeit auch für MBE-gewachsene
Filme zu demonstrieren, wurden von Alexander Melville EuO-Filme mit einer nominalen
Dicke von 30 nm bei einer Substrattemperatur von 400 ◦ C gewachsen. Nach
dem Abkühlen auf unter 200 ◦ C wurde der Film einem Sauerstoffpartialdruck von
p O2 = 1 · 10 −7 torr = 1,33 · 10 −7 mbar für 5 Minuten ausgesetzt. Röntgendiffraktion
und STEM zeigen, dass sich amorphes Eu 2 O 3 auf der epitaktischen EuO-Schicht bildet.
Die von mir durchgeführte Messung der Curie-Temperatur liefert den Bulk-Wert
von 69 K. Somit ist gezeigt, dass Eu 2 O 3 selbstpassivierend wirkt.
Eine mit nominell 5 % La dotierte Probe wurde mit dem in Kapitel 7.5.3 beschriebenen
Verfahren strukturiert. Durch die Messung des Widerstands (Abbildung D.1),
konnte gezeigt werden, dass der EuO-Film durch das Eu 2 O 3 -Capping auch resistent
ist gegen Wasser und die weiteren Chemikalien, die beim Strukturierungsverfahren
verwendet werden. Daher eignet sich Eu 2 O 3 neben Si als Capping-Material, wenn
Transportmessungen benötigt werden. Der spezifische Widerstand kann aufgrund der
20
Widerstand (kΩ)
15
10
5
0
0 40 80 120 160 200 240 280
Temperatur (K)
Abbildung D.1.: Gemessener elektrischer Widerstand einer nominell 5 % La-dotierten EuO-
Probe mit einem Eu 2
O 3
-Capping.
201